

EMH2308-TL-E詳細規格
- 類別:FET - 陣列
- 描述:MOSFET P-CH DUAL 30V 3A ECH8
- 系列:-
- 制造商:ON Semiconductor
- FET型:2 個 P 溝道(雙)
- FET特點:邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444:20V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C:3A
- 開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:85 毫歐 @ 3A,4.5V
- Id時的Vgs333th444(最大):-
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:4nC @ 4.5V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:320pF @ 10V
- 功率_最大:1.2W
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:8-SMD,扁平引線
- 供應商設備封裝:8-EMH
- 包裝:帶卷 (TR)
EMH2314-TL-H詳細規格
- 類別:FET - 陣列
- 描述:MOSFET P-CH DUAL 12V 5A EMH8
- 系列:-
- 制造商:ON Semiconductor
- FET型:2 個 P 溝道(雙)
- FET特點:邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444:12V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C:5A
- 開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:37 毫歐 @ 2.5A,4.5V
- Id時的Vgs333th444(最大):-
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:12nC @ 4.5V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:1300pF @ 6V
- 功率_最大:1W
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:8-SMD,扁平引線
- 供應商設備封裝:8-EMH
- 包裝:帶卷 (TR)
EMH2407-TL-H詳細規格
- 類別:FET - 陣列
- 描述:MOSFET N-CH DUAL 20V 6A EMH8
- 系列:-
- 制造商:ON Semiconductor
- FET型:2 個 N 溝道(雙)
- FET特點:邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444:20V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C:6A
- 開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:25 毫歐 @ 3A,4.5V
- Id時的Vgs333th444(最大):-
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:6.3nC @ 4.5V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:580pF @ 10V
- 功率_最大:1.4W
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:8-SMD,扁平引線
- 供應商設備封裝:8-EMH
- 包裝:帶卷 (TR)
EMH2408-TL-H詳細規格
- 類別:FET - 陣列
- 描述:MOSFET N-CH DUAL 20V 4A EMH8
- 系列:-
- 制造商:ON Semiconductor
- FET型:2 個 N 溝道(雙)
- FET特點:邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444:20V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C:4A
- 開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:45 毫歐 @ 4A,4.5V
- Id時的Vgs333th444(最大):-
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:4.7nC @ 4.5V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:345pF @ 10V
- 功率_最大:1.2W
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:8-SMD,扁平引線
- 供應商設備封裝:8-EMH
- 包裝:帶卷 (TR)
EMH2409-TL-H詳細規格
- 類別:FET - 陣列
- 描述:MOSFET N-CH DUAL 30V 4A EMH8
- 系列:-
- 制造商:ON Semiconductor
- FET型:2 個 N 溝道(雙)
- FET特點:邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444:30V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C:4A
- 開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:59 毫歐 @ 2A,10V
- Id時的Vgs333th444(最大):-
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:4.4nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:240pF @ 10V
- 功率_最大:1.2W
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:8-SMD,扁平引線
- 供應商設備封裝:8-EMH
- 包裝:帶卷 (TR)
EMH2411R-TL-H詳細規格
- 類別:FET - 陣列
- 描述:MOSFET N-CH DUAL 30V 5A EMH8
- 系列:-
- 制造商:ON Semiconductor
- FET型:2 N 溝道(雙)共漏
- FET特點:邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444:30V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C:5A
- 開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:36.5 毫歐 @ 2.5A,4.5V
- Id時的Vgs333th444(最大):-
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:5.9nC @ 4.5V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:-
- 功率_最大:1.3W
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:8-SMD,扁平引線
- 供應商設備封裝:8-EMH
- 包裝:帶卷 (TR)
- 電容器 Panasonic Electronic Components 徑向,Can - SMD CAP ALUM 4.7UF 25V 20% SMD
- Card Edge, Edgeboard Connectors Sullins Connector Solutions CONN EDGECARD 38POS .100 R/A PCB
- 晶體管(BJT) - 陣列﹐預偏壓式 Rohm Semiconductor SOT-563,SOT-666 TRANS DUAL NPN 50V 30MA EMT6
- 電容器 Panasonic Electronic Components 徑向,Can - SMD CAP ALUM 220UF 10V 20% SMD
- 陣列,信號變壓器 Cooper Bussmann 6-SMD,無引線(DFN,LCC) INDUCTOR/TRANSFORMER 0.4UH SMD
- 通孔電阻器 Vishay Dale 軸向 RES 33K OHM 13W 10% WW AXIAL
- 插座 Curtis Industries SC-76,SOD-323 RELAY SOCKET 8 PIN
- 電容器 Panasonic Electronic Components 徑向,Can - SMD CAP ALUM 6.8UF 25V 20% SMD
- 電容器 United Chemi-Con 徑向,Can - 卡入式 CAP ALUM 1500UF 200V 20% SNAP
- 電容器 Panasonic Electronic Components 徑向,Can - SMD CAP ALUM 33UF 10V 20% SMD
- 陣列,信號變壓器 Cooper Bussmann TRANSFORMER 1:2 10UH 3.17A SMT
- 通孔電阻器 Vishay Dale 軸向 RES 33K OHM 13W 10% WW AXIAL
- 插座 Curtis Industries SC-76,SOD-323 RELAY SOCKET 5 PIN
- Card Edge, Edgeboard Connectors Sullins Connector Solutions CONN EDGECARD 38POS .100 EYELET
- 電容器 United Chemi-Con 徑向,Can - 卡入式 CAP ALUM 1800UF 200V 20% SNAP