EPC2012詳細規(guī)格
- 類別：FET - 單
- 描述：TRANS GAN 200V 3A BUMPED DIE
- 系列：eGaN®
- 制造商：EPC
- FET型：GaNFET N 通道，氮化鎵
- FET特點：邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444：200V
- 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：3A
- 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：100 毫歐 @ 3A，5V
- Id時的Vgs333th444（最大）：2.5V @ 1mA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs：1.5nC @ 100V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds：128pF @ 100V
- 功率_最大：-
- 安裝類型：表面貼裝
- 封裝/外殼：模具
- 供應商設備封裝：模具
- 包裝：剪切帶 (CT)
EPC2012詳細規(guī)格
- 類別：FET - 單
- 描述：TRANS GAN 200V 3A BUMPED DIE
- 系列：eGaN®
- 制造商：EPC
- FET型：GaNFET N 通道，氮化鎵
- FET特點：邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444：200V
- 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：3A
- 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：100 毫歐 @ 3A，5V
- Id時的Vgs333th444（最大）：2.5V @ 1mA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs：1.5nC @ 100V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds：128pF @ 100V
- 功率_最大：-
- 安裝類型：表面貼裝
- 封裝/外殼：模具
- 供應商設備封裝：模具
- 包裝：帶卷 (TR)
EPC2012詳細規(guī)格
- 類別：FET - 單
- 描述：TRANS GAN 200V 3A BUMPED DIE
- 系列：eGaN®
- 制造商：EPC
- FET型：GaNFET N 通道，氮化鎵
- FET特點：邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444：200V
- 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：3A
- 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：100 毫歐 @ 3A，5V
- Id時的Vgs333th444（最大）：2.5V @ 1mA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs：1.5nC @ 100V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds：128pF @ 100V
- 功率_最大：-
- 安裝類型：表面貼裝
- 封裝/外殼：模具
- 供應商設備封裝：模具
- 包裝：Digi-Reel®
- 存儲器 IDT, Integrated Device Technology Inc 32-BSOJ IC SRAM 1MBIT 25NS 32SOJ
- 芯片電阻 - 表面安裝 Panasonic Electronic Components 0603（1608 公制） RES 9.1K OHM 1/10W .1% 0603 SMD
- FET - 單 EPC 模具剖面（11 焊條） TRANS GAN 100V 25A BUMPED DIE
- 熱 - 墊，片 Bergquist 模塊 THERMAL PAD .250" 8X16 GAPPAD
- 芯片電阻 - 表面安裝 Panasonic Electronic Components 0603（1608 公制） RES 91K OHM 1/10W .1% 0603 SMD
- FET - 單 EPC 7-SMD，凸引線 TRANS GAN 200V 12A BUMPED DIE
- 光學 - 反射式 - 邏輯輸出 Sharp Microelectronics 模塊，連接器 SENSOR OPTO REFL 3MM-7MM CONN
- 存儲器 IDT, Integrated Device Technology Inc 32-BSOJ IC SRAM 1MBIT 25NS 32SOJ
- 芯片電阻 - 表面安裝 Vishay Dale 0402（1005 公制） RES 255K OHM 1/16W 1% 0402 SMD
- 光學 - 反射式 - 邏輯輸出 Sharp Microelectronics 模塊，連接器 PHOTOINTERRUPTER REFLEC 7MM
- 芯片電阻 - 表面安裝 Panasonic Electronic Components 0603（1608 公制） RES 10K OHM 1/10W .1% 0603 SMD
- 存儲器 IDT, Integrated Device Technology Inc 32-BSOJ IC SRAM 1MBIT 15NS 32SOJ
- FET - 單 EPC 5-LGA TRANS GAN 40V 10A BUMPED DIE
- 光學 - 光電探測器 - 環(huán)境光傳感器 Sharp Microelectronics - LIGHT DETECTOR W/PROX 555NM SMD
- 芯片電阻 - 表面安裝 Vishay Dale 0402（1005 公制） RES 25.5K OHM 1/16W 1% 0402 SMD
133-5299-5145 
0755-29275935 
