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FCB20N60FTM詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 600V 20A D2PAK; 系列：SuperFET™; 制造商：Fairchild Semiconductor; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：標(biāo)準(zhǔn); 漏極至源極電壓333Vdss444：600V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：20A; 開(kāi)態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：190 毫歐 @ 10A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：5V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：98nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：3080pF @ 25V; 功率_最大：208W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：D²PAK; 包裝：帶卷 (TR)

FCB20N60FTM詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 600V 20A D2PAK; 系列：SuperFET™; 制造商：Fairchild Semiconductor; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：標(biāo)準(zhǔn); 漏極至源極電壓333Vdss444：600V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：20A; 開(kāi)態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：190 毫歐 @ 10A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：5V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：98nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：3080pF @ 25V; 功率_最大：208W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：D²PAK; 包裝：剪切帶 (CT)

FCB20N60FTM詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 600V 20A D2PAK; 系列：SuperFET™; 制造商：Fairchild Semiconductor; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：標(biāo)準(zhǔn); 漏極至源極電壓333Vdss444：600V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：20A; 開(kāi)態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：190 毫歐 @ 10A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：5V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：98nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：3080pF @ 25V; 功率_最大：208W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：D²PAK; 包裝：Digi-Reel®

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