

FCD4N60TF詳細規格
- 類別:FET - 單
- 描述:MOSFET N-CH 600V 3.9A DPAK
- 系列:SuperFET™
- 制造商:Fairchild Semiconductor
- FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
- FET特點:標準
- 漏極至源極電壓333Vdss444:600V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C:3.9A
- 開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:1.2 歐姆 @ 2A,10V
- Id時的Vgs333th444(最大):5V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:16.6nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:540pF @ 25V
- 功率_最大:50W
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63
- 供應商設備封裝:D-Pak
- 包裝:帶卷 (TR)
FCD4N60TF詳細規格
- 類別:FET - 單
- 描述:MOSFET N-CH 600V 3.9A DPAK
- 系列:SuperFET™
- 制造商:Fairchild Semiconductor
- FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
- FET特點:標準
- 漏極至源極電壓333Vdss444:600V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C:3.9A
- 開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:1.2 歐姆 @ 2A,10V
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- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:16.6nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:540pF @ 25V
- 功率_最大:50W
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63
- 供應商設備封裝:D-Pak
- 包裝:剪切帶 (CT)
FCD4N60TF詳細規格
- 類別:FET - 單
- 描述:MOSFET N-CH 600V 3.9A DPAK
- 系列:SuperFET™
- 制造商:Fairchild Semiconductor
- FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
- FET特點:標準
- 漏極至源極電壓333Vdss444:600V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C:3.9A
- 開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:1.2 歐姆 @ 2A,10V
- Id時的Vgs333th444(最大):5V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:16.6nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:540pF @ 25V
- 功率_最大:50W
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63
- 供應商設備封裝:D-Pak
- 包裝:Digi-Reel®
FCD4N60TM詳細規格
- 類別:FET - 單
- 描述:MOSFET N-CH 600V 3.9A DPAK
- 系列:SuperFET™
- 制造商:Fairchild Semiconductor
- FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
- FET特點:標準
- 漏極至源極電壓333Vdss444:600V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C:3.9A
- 開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:1.2 歐姆 @ 2A,10V
- Id時的Vgs333th444(最大):5V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:16.6nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:540pF @ 25V
- 功率_最大:50W
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63
- 供應商設備封裝:D-Pak
- 包裝:剪切帶 (CT)
FCD4N60TM詳細規格
- 類別:FET - 單
- 描述:MOSFET N-CH 600V 3.9A DPAK
- 系列:SuperFET™
- 制造商:Fairchild Semiconductor
- FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
- FET特點:標準
- 漏極至源極電壓333Vdss444:600V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C:3.9A
- 開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:1.2 歐姆 @ 2A,10V
- Id時的Vgs333th444(最大):5V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:16.6nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:540pF @ 25V
- 功率_最大:50W
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63
- 供應商設備封裝:D-Pak
- 包裝:帶卷 (TR)
FCD4N60TM詳細規格
- 類別:FET - 單
- 描述:MOSFET N-CH 600V 3.9A DPAK
- 系列:SuperFET™
- 制造商:Fairchild Semiconductor
- FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
- FET特點:標準
- 漏極至源極電壓333Vdss444:600V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C:3.9A
- 開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:1.2 歐姆 @ 2A,10V
- Id時的Vgs333th444(最大):5V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:16.6nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:540pF @ 25V
- 功率_最大:50W
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63
- 供應商設備封裝:D-Pak
- 包裝:Digi-Reel®
- FET - 單 International Rectifier TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63 MOSFET N-CH 200V 17A DPAK
- 箱 Hammond Manufacturing BOX STEEL 48X8X5" GREY
- 保險絲 Littelfuse Inc 1206(3216 公制) FUSE FAST-ACT 5A 32V 1206 SMD
- 陶瓷 Vishay BC Components 徑向,圓盤 CAP CER 270PF 2KV 10% RADIAL
- FET - 單 International Rectifier TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63 MOSFET N-CH 150V 18A DPAK
- 圓形 - 外殼 Amphenol Industrial Operations CONN HSG RCPT 12POS BOX MT SCKT
- 時鐘/計時 - 時鐘緩沖器,驅動器 IDT, Integrated Device Technology Inc 20-SSOP(0.154",3.90mm 寬) IC CLK BUFFER 1:5 100MHZ 20-QSOP
- 箱 Hammond Manufacturing BOX STEEL 48X10X6" GREY
- FET - 單 International Rectifier TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63 MOSFET N-CH 150V 18A DPAK
- 線路濾波器 Curtis Industries 144-LQFP FILTER HI PERFORM 6A FASTON
- 連接器,互連器件 Amphenol Industrial Operations CONN RCPT 5POS BOX MNT W/SCKT
- FET - 單 Vishay Siliconix TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63 MOSFET N-CH 600V 1.4A DPAK
- 時鐘/計時 - 時鐘緩沖器,驅動器 IDT, Integrated Device Technology Inc 20-SOIC(0.295",7.50mm 寬) IC CLK BUFFER 1:5 100MHZ 20-SOIC
- 箱 Hammond Manufacturing BOX STEEL 60X10X6" GREY
- FET - 單 Vishay Siliconix TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63 MOSFET N-CH 200V 2.6A DPAK