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FDB2670詳細規格
- 類別：FET - 單
- 描述：MOSFET N-CH 200V 19A TO-263AB
- 系列：PowerTrench®
- 制造商：Fairchild Semiconductor
- FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
- FET特點：標準
- 漏極至源極電壓333Vdss444：200V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C：19A
- 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：130 毫歐 @ 10A，10V
- Id時的Vgs333th444（最大）：4.5V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs：38nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1320pF @ 100V
- 功率_最大：93W
- 安裝類型：表面貼裝
- 封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB
- 供應商設備封裝：TO-263AB
- 包裝：帶卷 (TR)
- FET - 單 Fairchild Semiconductor TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB MOSFET N-CH 200V 62A D2PAK
- RF 評估和開發套件，板 Maxim Integrated 73-WLP KIT EVAL FOR MAX2839
- FET - 單 Fairchild Semiconductor TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63 MOSFET N-CH 30V 40A DPAK
- 接口 - 模擬開關，多路復用器，多路分解器 Maxim Integrated 16-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） IC SWITCH QUAD SPST 16SOIC
- 數據采集 - 數字電位器 Microchip Technology 6-TSSOP（5 引線），SC-88A，SOT-353 IC DGTL POT 10K 128TAPS SC70-5
- FET - 單 Fairchild Semiconductor TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63 MOSFET N-CH 30V 94A DPAK
- RF 發射器 Maxim Integrated 68-TQFN 裸露焊盤 TRANSMITTER MIMO 5GHZ 4CH 68TQFN
- 芯片電阻 - 表面安裝 Rohm Semiconductor 1206（3216 公制） RES 953K OHM 1/4W 1% 1206 SMD
- 芯片電阻 - 表面安裝 Rohm Semiconductor 2512（6432 公制） RES 845 OHM 1W 1% 2512 SMD
- 數據采集 - 數字電位器 Microchip Technology 6-TSSOP（5 引線），SC-88A，SOT-353 IC DGTL POT 5K 128TAPS SC70-5
- 接口 - 驅動器，接收器，收發器 Maxim Integrated 28-SSOP（0.209"，5.30mm 寬） IC TXRX W/RS232 28-SSOP
- RF 其它 IC 和模塊 Maxim Integrated 32-WFQFN 裸露焊盤 RF FRACT INTR N SYNTH VCO 32TQFN
- FET - 單 Fairchild Semiconductor TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63 MOSFET N-CH 500V DPAK
- 芯片電阻 - 表面安裝 Rohm Semiconductor 1206（3216 公制） RES 95.3 OHM 1/4W 1% 1206 SMD
- 芯片電阻 - 表面安裝 Rohm Semiconductor 2512（6432 公制） RES 84.5 OHM 1W 1% 2512 SMD
0755-82865294 
0755-83222787 
