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FDB8441詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 40V 80A D2PAK; 系列：PowerTrench®; 制造商：Fairchild Semiconductor; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：40V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：80A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：2.5 毫歐 @ 80A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：280nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：15000pF @ 25V; 功率_最大：300W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：D²PAK; 包裝：Digi-Reel®

FDB8441詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 40V 80A D2PAK; 系列：PowerTrench®; 制造商：Fairchild Semiconductor; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：40V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：80A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：2.5 毫歐 @ 80A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：280nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：15000pF @ 25V; 功率_最大：300W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：D²PAK; 包裝：剪切帶 (CT)

FDB8441詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 40V 80A D2PAK; 系列：PowerTrench®; 制造商：Fairchild Semiconductor; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：40V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：80A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：2.5 毫歐 @ 80A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：280nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：15000pF @ 25V; 功率_最大：300W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：D²PAK; 包裝：帶卷 (TR)

FDB8441_F085詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 40V 80A D2PAK; 系列：PowerTrench®; 制造商：Fairchild Semiconductor; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：40V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：80A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：2.5 毫歐 @ 80A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：280nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：15000pF @ 25V; 功率_最大：300W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：D²PAK; 包裝：帶卷 (TR)

ERJ-8ENF1100V
芯片電阻 - 表面安裝 Panasonic Electronic Components 1206（3216 公制） RES 110 OHM 1/4W 1% 1206 SMD
DSR6U600D1
單二極管/整流器 Diodes Inc TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63 DIODESTAR DIODE 600V 6A DPAK
FDB7030BL
FET - 單 Fairchild Semiconductor TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB MOSFET N-CH 30V 60A TO-263AB
FS20-1K-5%
通孔電阻器 Vishay Huntington Electric Inc. 徑向 RES 1.0K OHM 20W 5% WW RAD
ERA-6APB822V
芯片電阻 - 表面安裝 Panasonic Electronic Components 0805（2012 公制） RES 8.2K OHM 1/8W .1% 0805 SMD
ESA30DTBT-S273
Card Edge, Edgeboard Connectors Sullins Connector Solutions CONN EDGECARD 60POS R/A .125 SLD
ERJ-8ENF1101V
芯片電阻 - 表面安裝 Panasonic Electronic Components 1206（3216 公制） RES 1.10K OHM 1/4W 1% 1206 SMD
ERJ-S12F39R0U
芯片電阻 - 表面安裝 Panasonic Electronic Components 1812（4532 公制） RES ANTI-SULFUR 39 OHM 1% 1812
ERJ-6GEYJ164V
芯片電阻 - 表面安裝 Panasonic Electronic Components 0805（2012 公制） RES 160K OHM 1/8W 5% 0805 SMD
FS20-300
功率 Triad Magnetics 徑向 TRANSF 10VAC .6A SPLIT PACK
ESA30DTBZ-S664
Card Edge, Edgeboard Connectors Sullins Connector Solutions CONN EDGECARD 60POS R/A .125 SLD
ERA-6APB913V
芯片電阻 - 表面安裝 Panasonic Electronic Components 0805（2012 公制） RES 91K OHM 1/8W .1% 0805 SMD
ERJ-8ENF1103V
芯片電阻 - 表面安裝 Panasonic Electronic Components 1206（3216 公制） RES 110K OHM 1/4W 1% 1206 SMD
ERJ-S12F42R2U
芯片電阻 - 表面安裝 Panasonic Electronic Components 1812（4532 公制） RES ANTI-SULFUR 42.2 OHM 1% 1812
ERJ-6GEYJ180V
芯片電阻 - 表面安裝 Panasonic Electronic Components 0805（2012 公制） RES 18 OHM 1/8W 5% 0805 SMD

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ERJ-8ENF1100V

DSR6U600D1

FDB7030BL

FS20-1K-5%

ERA-6APB822V

ESA30DTBT-S273

ERJ-8ENF1101V

ERJ-S12F39R0U

ERJ-6GEYJ164V

FS20-300

ESA30DTBZ-S664

ERA-6APB913V

ERJ-8ENF1103V

ERJ-S12F42R2U

ERJ-6GEYJ180V