FDD3570詳細規格
- 類別：FET - 單
- 描述：MOSFET N-CH 80V 10A D-PAK
- 系列：PowerTrench®
- 制造商：Fairchild Semiconductor
- FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
- FET特點：邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444：80V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C：10A
- 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：20 毫歐 @ 10A，10V
- Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs：76nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds：2800pF @ 40V
- 功率_最大：1.3W
- 安裝類型：表面貼裝
- 封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63
- 供應商設備封裝：D-Pak
- 包裝：帶卷 (TR)
- 陶瓷 Kemet 徑向 CAP CER 220PF 200V 10% RADIAL
- 晶體 ECS Inc HC49/US CRYSTAL 20.000MHZ 16PF SMD
- FET - 陣列 Fairchild Semiconductor TO-252-5，DPak（4 引線 + 接片），TO-252AD IC MOSFET DUAL N/P 80V DPAK-4
- 陶瓷 TDK Corporation 0805（2012 公制） CAP CER 1UF 50V Y5V 0805
- 芯片電阻 - 表面安裝 Vishay Dale 2010（5025 公制） RES 6.8 OHM 3/4W 5% 2010 SMD
- Linear - Amplifiers - Instrumentation, OP Amps, Buffer Amps Intersil SC-74A，SOT-753 IC OP AMP HS V-FEEDBACK SOT23-5
- 陶瓷 Kemet 徑向 CAP CER 220PF 200V 10% RADIAL
- 連接器，互連器件 LEMO 0805（2012 公制） RECPT W.NUT CDG 5CTS
- Card Edge, Edgeboard Connectors Sullins Connector Solutions 100-BQFP CONN EDGECARD 12POS R/A .156 SLD
- 陶瓷 TDK Corporation 0805（2012 公制） CAP CER 1UF 50V Y5V 0805
- 芯片電阻 - 表面安裝 Vishay Dale 2010（5025 公制） RES 6.81 OHM 3/4W 1% 2010 SMD
- Linear - Amplifiers - Instrumentation, OP Amps, Buffer Amps Intersil 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） IC VFA SLEW SINGLE 400MHZ 8-SOIC
- 陶瓷 Kemet 徑向 CAP CER 2200PF 200V 10% RADIAL
- 連接器，互連器件 LEMO 0805（2012 公制） RECPT W.NUT CDG 7CTS
- 晶體 ECS Inc 4-SOJ，9.40mm 間距 CRYSTAL 20.000MHZ 16PF SMD
075582796732 
