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FDD6670A詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 30V 15A DPAK; 系列：PowerTrench®; 制造商：Fairchild Semiconductor; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：15A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：8 毫歐 @ 15A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：22nC @ 5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1755pF @ 15V; 功率_最大：1.3W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：TO-252-3; 包裝：Digi-Reel®

FDD6670A詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 30V 15A DPAK; 系列：PowerTrench®; 制造商：Fairchild Semiconductor; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：15A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：8 毫歐 @ 15A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：22nC @ 5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1755pF @ 15V; 功率_最大：1.3W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：TO-252-3; 包裝：剪切帶 (CT)

FDD6670A詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 30V 15A DPAK; 系列：PowerTrench®; 制造商：Fairchild Semiconductor; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：15A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：8 毫歐 @ 15A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：22nC @ 5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1755pF @ 15V; 功率_最大：1.3W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：TO-252-3; 包裝：帶卷 (TR)

FDD6670AL詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 30V 84A D-PAK; 系列：PowerTrench®; 制造商：Fairchild Semiconductor; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：標(biāo)準(zhǔn); 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：84A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：5 毫歐 @ 18A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：56nC @ 5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：3845pF @ 15V; 功率_最大：1.6W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：D-Pak; 包裝：帶卷 (TR)

FDD6670AS詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 30V 76A DPAK; 系列：PowerTrench®; 制造商：Fairchild Semiconductor; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：76A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：8 毫歐 @ 13.8A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：3V @ 1mA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：40nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1580pF @ 15V; 功率_最大：1.3W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：D-Pak; 包裝：剪切帶 (CT)

FDD6670AS詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 30V 76A DPAK; 系列：PowerTrench®; 制造商：Fairchild Semiconductor; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：76A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：8 毫歐 @ 13.8A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：3V @ 1mA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：40nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1580pF @ 15V; 功率_最大：1.3W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：D-Pak; 包裝：Digi-Reel®

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FET - 單 Fairchild Semiconductor 8-PQFN，Power56 MOSFET N-CH 30V 21A POWER56
GRM1886R1H6R1DZ01D
陶瓷 Murata Electronics North America 0603（1608 公制） CAP CER 6.1PF 50V R2H 0603
FGG.0B.305.CYBD52
連接器，互連器件 LEMO PLUG CDG 5CTS C-COL
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