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FDMS7672AS詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 30V SYNCFET POWER56; 系列：PowerTrench®, SyncFET™; 制造商：Fairchild Semiconductor; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：19A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：4 毫歐 @ 18A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：3V @ 1mA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：46nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：2820pF @ 15V; 功率_最大：2.5W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-PowerTDFN; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：8-PQFN（5X6），Power56; 包裝：剪切帶 (CT)

FDMS7672AS詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 30V SYNCFET POWER56; 系列：PowerTrench®, SyncFET™; 制造商：Fairchild Semiconductor; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：19A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：4 毫歐 @ 18A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：3V @ 1mA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：46nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：2820pF @ 15V; 功率_最大：2.5W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-PowerTDFN; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：8-PQFN（5X6），Power56; 包裝：Digi-Reel®

FDMS7672AS詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 30V SYNCFET POWER56; 系列：PowerTrench®, SyncFET™; 制造商：Fairchild Semiconductor; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：19A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：4 毫歐 @ 18A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：3V @ 1mA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：46nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：2820pF @ 15V; 功率_最大：2.5W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-PowerTDFN; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：8-PQFN（5X6），Power56; 包裝：帶卷 (TR)

MAX1265ACEI+
數(shù)據(jù)采集 - 模數(shù)轉(zhuǎn)換器 Maxim Integrated 28-SSOP（0.154"，3.90mm 寬） IC ADC 12BIT 265KSPS 28-QSOP
MA-306 29.4912M-C0
晶體 EPSON 4-SOJ，5.50mm 間距 CRYSTAL 29.4912MHZ 18PF SMD
FDMS7670AS
FET - 單 Fairchild Semiconductor 8-PQFN，Power56 MOSFET N-CH 30V SYNCFET POWER56
LM3S5B91-IBZ80-C5T
嵌入式 - 微控制器， Texas Instruments 108-LFBGA IC ARM CORTEX MCU 256KB 108NFBGA
FAN7842MX
PMIC - MOSFET，電橋驅(qū)動(dòng)器 - 外部開關(guān) Fairchild Semiconductor 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） IC DRIVER HIGH/LOW GATE 8-SOP
MCR10EZPF4640
芯片電阻 - 表面安裝 Rohm Semiconductor 0805（2012 公制） RES 464 OHM 1/8W 1% 0805 SMD
MAX6442KABGZD3+T
PMIC - 電池管理 Maxim Integrated SOT-23-8 IC BATTERY MON DUAL SOT23-8
MA-306 30.0000M-C0:ROHS
晶體 EPSON 4-SOJ，5.50mm 間距 CRYSTAL 30.0000MHZ 18PF SMD
MCR03EZHJ101
芯片電阻 - 表面安裝 Rohm Semiconductor 0603（1608 公制） RES SMD 100 OHM 1608 1/10W 5%
LM3S5C31-IBZ80-A1
嵌入式 - 微控制器， Texas Instruments 108-LFBGA IC ARM CORTEX MCU 108NFBGA
MCR10EZPF46R4
芯片電阻 - 表面安裝 Rohm Semiconductor 0805（2012 公制） RES 46.4 OHM 1/8W 1% 0805 SMD
FAN7930M
PMIC - PFC（功率因數(shù)修正） Fairchild Semiconductor 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） IC POWER FACTOR CORR CTRLR 8SOIC
MA-306 33.3333M-C0
晶體 EPSON 4-SOJ，5.50mm 間距 CRYSTAL 33.3333MHZ 18PF SMD
MAX6442KABHTD3+T
PMIC - 電池管理 Maxim Integrated SOT-23-8 IC BATTERY MON DUAL SOT23-8
MCR03EZP5FX2210
芯片電阻 - 表面安裝 Rohm Semiconductor 0603（1608 公制） RES 221 OHM 1/10W 1% 0603

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MA-306 29.4912M-C0

FDMS7670AS

LM3S5B91-IBZ80-C5T

FAN7842MX

MCR10EZPF4640

MAX6442KABGZD3+T

MA-306 30.0000M-C0:ROHS

MCR03EZHJ101

LM3S5C31-IBZ80-A1

MCR10EZPF46R4

FAN7930M

MA-306 33.3333M-C0

MAX6442KABHTD3+T

MCR03EZP5FX2210

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