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FDMS86520L 全國(guó)供應(yīng)商、價(jià)格、PDF資料

FDMS86520L詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N CH 60V 13.5A 8PQFN; 系列：PowerTrench®; 制造商：Fairchild Semiconductor; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：60V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：13.5A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：8.2 毫歐 @ 13.5A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：63nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：4615pF @ 30V; 功率_最大：2.5W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-TDFN 裸露焊盤; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：8-PQFN（5X6），Power56; 包裝：剪切帶 (CT)

FDMS86520L詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N CH 60V 13.5A 8PQFN; 系列：PowerTrench®; 制造商：Fairchild Semiconductor; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：60V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：13.5A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：8.2 毫歐 @ 13.5A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：63nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：4615pF @ 30V; 功率_最大：2.5W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-TDFN 裸露焊盤; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：8-PQFN（5X6），Power56; 包裝：帶卷 (TR)

FDMS86520L詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N CH 60V 13.5A 8PQFN; 系列：PowerTrench®; 制造商：Fairchild Semiconductor; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：60V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：13.5A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：8.2 毫歐 @ 13.5A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：63nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：4615pF @ 30V; 功率_最大：2.5W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-TDFN 裸露焊盤; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：8-PQFN（5X6），Power56; 包裝：Digi-Reel®

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