FDN359AN詳細規格
- 類別：FET - 單
- 描述：MOSFET N-CH 30V 2.7A SSOT-3
- 系列：PowerTrench®
- 制造商：Fairchild Semiconductor
- FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
- FET特點：邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444：30V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C：2.7A
- 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：46 毫歐 @ 2.7A，10V
- Id時的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs：7nC @ 5V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds：480pF @ 10V
- 功率_最大：460mW
- 安裝類型：表面貼裝
- 封裝/外殼：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
- 供應商設備封裝：3-SSOT
- 包裝：剪切帶 (CT)
FDN359AN詳細規格
- 類別：FET - 單
- 描述：MOSFET N-CH 30V 2.7A SSOT-3
- 系列：PowerTrench®
- 制造商：Fairchild Semiconductor
- FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
- FET特點：邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444：30V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C：2.7A
- 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：46 毫歐 @ 2.7A，10V
- Id時的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs：7nC @ 5V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds：480pF @ 10V
- 功率_最大：460mW
- 安裝類型：表面貼裝
- 封裝/外殼：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
- 供應商設備封裝：3-SSOT
- 包裝：帶卷 (TR)
FDN359AN詳細規格
- 類別：FET - 單
- 描述：MOSFET N-CH 30V 2.7A SSOT-3
- 系列：PowerTrench®
- 制造商：Fairchild Semiconductor
- FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
- FET特點：邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444：30V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C：2.7A
- 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：46 毫歐 @ 2.7A，10V
- Id時的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs：7nC @ 5V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds：480pF @ 10V
- 功率_最大：460mW
- 安裝類型：表面貼裝
- 封裝/外殼：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
- 供應商設備封裝：3-SSOT
- 包裝：Digi-Reel®
FDN359BN詳細規格
- 類別：FET - 單
- 描述：MOSFET N-CH 30V 2.7A 3SSOT
- 系列：PowerTrench®
- 制造商：Fairchild Semiconductor
- FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
- FET特點：邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444：30V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C：2.7A
- 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：46 毫歐 @ 2.7A，10V
- Id時的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs：7nC @ 5V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds：650pF @ 15V
- 功率_最大：460mW
- 安裝類型：表面貼裝
- 封裝/外殼：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
- 供應商設備封裝：3-SSOT
- 包裝：帶卷 (TR)
FDN359BN詳細規格
- 類別：FET - 單
- 描述：MOSFET N-CH 30V 2.7A 3SSOT
- 系列：PowerTrench®
- 制造商：Fairchild Semiconductor
- FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
- FET特點：邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444：30V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C：2.7A
- 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：46 毫歐 @ 2.7A，10V
- Id時的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs：7nC @ 5V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds：650pF @ 15V
- 功率_最大：460mW
- 安裝類型：表面貼裝
- 封裝/外殼：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
- 供應商設備封裝：3-SSOT
- 包裝：Digi-Reel®
FDN359BN詳細規格
- 類別：FET - 單
- 描述：MOSFET N-CH 30V 2.7A 3SSOT
- 系列：PowerTrench®
- 制造商：Fairchild Semiconductor
- FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
- FET特點：邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444：30V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C：2.7A
- 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：46 毫歐 @ 2.7A，10V
- Id時的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs：7nC @ 5V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds：650pF @ 15V
- 功率_最大：460mW
- 安裝類型：表面貼裝
- 封裝/外殼：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
- 供應商設備封裝：3-SSOT
- 包裝：剪切帶 (CT)
- 芯片電阻 - 表面安裝 Rohm Semiconductor 0805（2012 公制） RES 10.5 OHM 1/8W 1% 0805 SMD
- 接口 - 驅動器，接收器，收發器 Texas Instruments 20-SSOP（0.209"，5.30mm 寬） IC RS232 3V5.5V DRVR ESD 20-SSOP
- 接口 - 控制器 Maxim Integrated 32-TQFP IC USB PERIPH/HOST CNTRL 32TQFP
- PMIC - 電壓基準 Texas Instruments 6-TSSOP（5 引線），SC-88A，SOT-353 IC VREF SHUNT PREC 3V SC-70-5
- FET - 單 Fairchild Semiconductor TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 MOSFET N-CH 30V 1.9A SSOT3
- 接口 - 驅動器，接收器，收發器 Maxim Integrated 20-SSOP（0.209"，5.30mm 寬） IC RS-232 SERIAL 230KBPS 20-SSOP
- 接口 - 模擬開關，多路復用器，多路分解器 Maxim Integrated SC-74A，SOT-753 IC SWITCH SPST SOT23-5
- Linear - Amplifiers - Instrumentation, OP Amps, Buffer Amps Texas Instruments 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） IC OP AMP DUAL 2.5V REF 8-SOIC
- 芯片電阻 - 表面安裝 Rohm Semiconductor 0805（2012 公制） RES 10.7 OHM 1/8W 1% 0805 SMD
- 接口 - 控制器 Maxim Integrated 32-WFQFN 裸露焊盤 IC USB PERIPH/HOST CNTRL 32TQFN
- PMIC - 電壓基準 Texas Instruments 6-TSSOP（5 引線），SC-88A，SOT-353 IC VREF SHUNT PREC 3V SC-70-5
- FET - 單 Fairchild Semiconductor 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 MOSFET N-CH 20V 1.5A SC70-6
- 接口 - 模擬開關，多路復用器，多路分解器 Maxim Integrated SC-74A，SOT-753 IC SWITCH SPST SOT23-5
- PMIC - 電壓基準 Texas Instruments IC VREF SHUNT 2.5V SOT-23-3
- 芯片電阻 - 表面安裝 Rohm Semiconductor 0805（2012 公制） RES 113 OHM 1/8W 1% 0805 SMD
0755-82575207 
0755-83222787 
