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FDS6990A詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 陣列; 描述：MOSFET N-CH DUAL 30V 7.5A 8SOIC; 系列：PowerTrench®; 制造商：Fairchild Semiconductor; FET型：2 個 N 溝道（雙）; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：7.5A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：18 毫歐 @ 7.5A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：17nC @ 5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1235pF @ 15V; 功率_最大：900mW; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：8-SOIC N; 包裝：剪切帶 (CT)

FDS6990A詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 陣列; 描述：MOSFET N-CH DUAL 30V 7.5A 8SOIC; 系列：PowerTrench®; 制造商：Fairchild Semiconductor; FET型：2 個 N 溝道（雙）; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：7.5A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：18 毫歐 @ 7.5A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：17nC @ 5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1235pF @ 15V; 功率_最大：900mW; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：8-SOIC N; 包裝：Digi-Reel®

FDS6990A詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 陣列; 描述：MOSFET N-CH DUAL 30V 7.5A 8SOIC; 系列：PowerTrench®; 制造商：Fairchild Semiconductor; FET型：2 個 N 溝道（雙）; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：7.5A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：18 毫歐 @ 7.5A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：17nC @ 5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1235pF @ 15V; 功率_最大：900mW; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：8-SOIC N; 包裝：帶卷 (TR)

FDS6990AS詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 陣列; 描述：MOSFET NCH DUAL 30V 7.5A 8SOIC; 系列：PowerTrench®, SyncFET™; 制造商：Fairchild Semiconductor; FET型：2 個 N 溝道（雙）; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：7.5A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：22 毫歐 @ 7.5A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：3V @ 1mA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：14nC @ 5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：550pF @ 15V; 功率_最大：900mW; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：8-SOIC N; 包裝：Digi-Reel®

FDS6990AS詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 陣列; 描述：MOSFET NCH DUAL 30V 7.5A 8SOIC; 系列：PowerTrench®, SyncFET™; 制造商：Fairchild Semiconductor; FET型：2 個 N 溝道（雙）; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：7.5A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：22 毫歐 @ 7.5A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：3V @ 1mA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：14nC @ 5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：550pF @ 15V; 功率_最大：900mW; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：8-SOIC N; 包裝：剪切帶 (CT)

FDS6990AS詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 陣列; 描述：MOSFET NCH DUAL 30V 7.5A 8SOIC; 系列：PowerTrench®, SyncFET™; 制造商：Fairchild Semiconductor; FET型：2 個 N 溝道（雙）; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：7.5A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：22 毫歐 @ 7.5A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：3V @ 1mA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：14nC @ 5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：550pF @ 15V; 功率_最大：900mW; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：8-SOIC N; 包裝：帶卷 (TR)

GCM18DTBI-S189
Card Edge, Edgeboard Connectors Sullins Connector Solutions CONN EDGECARD 36POS R/A .156 SLD
FK18X5R1A225K
陶瓷 TDK Corporation 徑向 CAP CER 2.2UF 10V 10% RADIAL
FK28C0G1H471J
陶瓷 TDK Corporation 徑向 CAP CER 470PF 50V 5% RADIAL
CMF5521K500BHRE
通孔電阻器 Vishay Dale 軸向 RES 21.5K OHM 1/2W 0.1% AXIAL
FFD35US-3072-P68
存儲器，PC 卡 SanDisk FFD 3.5" ULTRA NARROW SCSI 3GB
GCM18DTKT-S288
Card Edge, Edgeboard Connectors Sullins Connector Solutions CONN EDGECARD 36POS .156 EXTEND
FK18X5R1A225K
陶瓷 TDK Corporation 徑向 CAP CER 2.2UF 10V 10% RADIAL
GEC35DRTS-S13
Card Edge, Edgeboard Connectors Sullins Connector Solutions CONN EDGECARD 70POS .100 EXTEND
CMF5521K500FKR6
通孔電阻器 Vishay Dale 軸向 RES 21.5K OHM 1/2W 1% AXIAL
FFD35US-32768-P68
存儲器，PC 卡 SanDisk FFD 3.5" ULTRA NARROW SCSI 32GB
GCM2165C1H100JZ13D
陶瓷 Murata Electronics North America 0805（2012 公制） CAP CER 10PF 50V 5% NP0 0805
FK18X5R1A334K
陶瓷 TDK Corporation 徑向 CAP CER 0.33UF 10V 10% RADIAL
FK28C0G1H6R8D
陶瓷 TDK Corporation 徑向 CAP CER 6.8PF 50V RADIAL
GEC35DRYN-S734
Card Edge, Edgeboard Connectors Sullins Connector Solutions CONN EDGECARD 70POS DIP .100 SLD
CMF5521K770BHEB
通孔電阻器 Vishay Dale 軸向 RES 21.77K OHM 1/2W 0.1% AXIAL

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