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FDS7066ASN3詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 30V 19A 8-SOIC; 系列：PowerTrench®; 制造商：Fairchild Semiconductor; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：19A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：4.8 毫歐 @ 19A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：3V @ 1mA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：62nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：2460pF @ 15V; 功率_最大：1.7W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm Width）裸露焊盤; 供應商設備封裝：8-SOIC; 包裝：帶卷 (TR)

FDS7066ASN3詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 30V 19A 8-SOIC; 系列：PowerTrench®; 制造商：Fairchild Semiconductor; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：19A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：4.8 毫歐 @ 19A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：3V @ 1mA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：62nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：2460pF @ 15V; 功率_最大：1.7W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm Width）裸露焊盤; 供應商設備封裝：8-SOIC; 包裝：剪切帶 (CT)

FDS7066ASN3詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 30V 19A 8-SOIC; 系列：PowerTrench®; 制造商：Fairchild Semiconductor; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：19A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：4.8 毫歐 @ 19A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：3V @ 1mA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：62nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：2460pF @ 15V; 功率_最大：1.7W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm Width）裸露焊盤; 供應商設備封裝：8-SOIC; 包裝：Digi-Reel®

FDS7066N3詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 30V 23A 8SOIC; 系列：PowerTrench®; 制造商：Fairchild Semiconductor; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：23A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：5.5 毫歐 @ 23A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：69nC @ 5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：4973pF @ 15V; 功率_最大：1.7W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm Width）裸露焊盤; 供應商設備封裝：8-SOIC; 包裝：帶卷 (TR)

FDS7066N7詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 30V 23A 8-SOIC; 系列：PowerTrench®; 制造商：Fairchild Semiconductor; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：23A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：4.5 毫歐 @ 23A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：69nC @ 5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：4973pF @ 15V; 功率_最大：1.7W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm Width）裸露焊盤; 供應商設備封裝：8-SOIC; 包裝：Digi-Reel®

FDS7066N7詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 30V 23A 8-SOIC; 系列：PowerTrench®; 制造商：Fairchild Semiconductor; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：23A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：4.5 毫歐 @ 23A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：69nC @ 5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：4973pF @ 15V; 功率_最大：1.7W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm Width）裸露焊盤; 供應商設備封裝：8-SOIC; 包裝：剪切帶 (CT)

FK28C0G2E151J
陶瓷 TDK Corporation 徑向 CAP CER 150PF 250V 5% RADIAL
GEC36DREH-S734
Card Edge, Edgeboard Connectors Sullins Connector Solutions CONN EDGECARD 72POS .100 EYELET
CMF5521R500BER6
通孔電阻器 Vishay Dale 軸向 RES 21.5 OHM 1/2W 0.1% AXIAL
FDS7066N3
FET - 單 Fairchild Semiconductor 8-SOIC（0.154"，3.90mm Width）裸露焊盤 MOSFET N-CH 30V 23A 8SOIC
GCM2165C1H162JA16D
陶瓷 Murata Electronics North America 0805（2012 公制） CAP CER 1600PF 50V 5% NP0 0805
FK18X7R1C105K
陶瓷 TDK Corporation 徑向 CAP CER 1UF 16V 10% RADIAL
FFD35US-34816-X-P80
存儲器，PC 卡 SanDisk FFD 3.5" ULTRA NARROW SCSI 34GB
GEC36DREN-S734
Card Edge, Edgeboard Connectors Sullins Connector Solutions CONN EDGECARD 72POS .100 EYELET
FK28X5R0J155K
陶瓷 TDK Corporation 徑向 CAP CER 1.5UF 6.3V 10% RADIAL
GCM2165C1H180JZ13D
陶瓷 Murata Electronics North America 0805（2012 公制） CAP CER 18PF 50V 5% NP0 0805
FK18X7R1C334K
陶瓷 TDK Corporation 徑向 CAP CER 0.33UF 16V 10% RADIAL
FFD35US-512-X-P80
存儲器，PC 卡 SanDisk FFD 3.5" ULTRA NARROW SCSI 512MB
GEC36DREN-S93
Card Edge, Edgeboard Connectors Sullins Connector Solutions CONN EDGECARD 72POS .100 EYELET
CMF5521R500FKEK
通孔電阻器 Vishay Dale 軸向 RES 21.5 OHM 1/2W 1% AXIAL
FK28X5R0J155K
陶瓷 TDK Corporation 徑向 CAP CER 1.5UF 6.3V 10% RADIAL

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