FDU6030BL詳細規(guī)格
- 類別：FET - 單
- 描述：MOSFET N-CH 30V 10A I-PAK
- 系列：PowerTrench®
- 制造商：Fairchild Semiconductor
- FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
- FET特點：邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444：30V
- 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：10A
- 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：16 毫歐 @ 10A，10V
- Id時的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs：31nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1143pF @ 15V
- 功率_最大：1.6W
- 安裝類型：通孔
- 封裝/外殼：TO-251-3 短引線，IPak，TO-251AA
- 供應商設備封裝：I-Pak
- 包裝：管件
- 晶體 ECS Inc HC49/US CRYSTAL 11.981350 MHZ SER 49US
- FET - 單 Fairchild Semiconductor TO-261-4，TO-261AA MOSFET N-CH 150V 2A SOT-223
- 晶體 ECS Inc HC49/US CRYSTAL 24.576MHZ 20PF SMD
- 芯片電阻 - 表面安裝 Vishay Dale 2512（6432 公制） RES 1.43M OHM 1W 1% 2512 SMD
- 芯片電阻 - 表面安裝 Bourns Inc. 0603（1608 公制） RES 15K OHM 1/10W .01% 0603 SMD
- 陶瓷 Kemet 2522（6456 公制）寬（長側）2225（5664 公制） CAP CER 0.015UF 50V 2% NP0 2225
- 陶瓷 TDK Corporation 1206（3216 公制） CAP CER 3.3UF 35V 10% X7R 1206
- 晶體 ECS Inc HC49/U CRYSTAL 1.8432 MHZ 13PF 49UA
- 晶體 ECS Inc HC49/US CRYSTAL 12.000393 MHZ 18PF 49US
- 芯片電阻 - 表面安裝 Vishay Dale 2512（6432 公制） RES 1.5M OHM 1W 5% 2512 SMD
- 芯片電阻 - 表面安裝 Bourns Inc. 0805（2012 公制） RES 25.5K OHM 1/8W .1% 0805 SMD
- 陶瓷 Kemet 2522（6456 公制）寬（長側）2225（5664 公制） CAP CER 0.15UF 100V 10% X7R 2225
- 陶瓷 TDK Corporation 1206（3216 公制） CAP CER 3.3UF 35V 10% X7R 1206
- 晶體 ECS Inc HC49/US CRYSTAL 12.000393MHZ 18PF SMD
- 晶體 ECS Inc HC49/U CRYSTAL 1.8432 MHZ 32PF 49U
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