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» 型號"FDV302P_NB8V001"的供應信息
FDV302P_NB8V001 全國供應商、價格、PDF資料
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FDV302P_NB8V001詳細規格
類別:FET - 單
描述:MOSFET P-CH 25V 120MA SOT-23
系列:-
制造商:Fairchild Semiconductor
FET型:MOSFET P 通道,金屬氧化物
FET特點:標準
漏極至源極電壓333Vdss444:25V
電流_連續漏極333Id4440a025000C:120mA
開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:10 歐姆 @ 200mA,4.5V
Id時的Vgs333th444(最大):1.5V @ 250µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs:0.31nC @ 4.5V
輸入電容333Ciss4440a0Vds:11pF @ 10V
功率_最大:350mW
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
供應商設備封裝:SOT-23
包裝:Digi-Reel®
FDV302P_NB8V001詳細規格
類別:FET - 單
描述:MOSFET P-CH 25V 120MA SOT-23
系列:-
制造商:Fairchild Semiconductor
FET型:MOSFET P 通道,金屬氧化物
FET特點:標準
漏極至源極電壓333Vdss444:25V
電流_連續漏極333Id4440a025000C:120mA
開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:10 歐姆 @ 200mA,4.5V
Id時的Vgs333th444(最大):1.5V @ 250µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs:0.31nC @ 4.5V
輸入電容333Ciss4440a0Vds:11pF @ 10V
功率_最大:350mW
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
供應商設備封裝:SOT-23
包裝:剪切帶 (CT)
FDV302P_NB8V001詳細規格
類別:FET - 單
描述:MOSFET P-CH 25V 120MA SOT-23
系列:-
制造商:Fairchild Semiconductor
FET型:MOSFET P 通道,金屬氧化物
FET特點:標準
漏極至源極電壓333Vdss444:25V
電流_連續漏極333Id4440a025000C:120mA
開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:10 歐姆 @ 200mA,4.5V
Id時的Vgs333th444(最大):1.5V @ 250µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs:0.31nC @ 4.5V
輸入電容333Ciss4440a0Vds:11pF @ 10V
功率_最大:350mW
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
供應商設備封裝:SOT-23
包裝:帶卷 (TR)
FDV302P_NB8V001供應商
FDV302P-NB8V001
北京首天偉業科技有限公司
010-62104931、
FDV302P-NB8V001
北京元坤國際科技有限公司
010-62104931、
FDV302P-NB8V001
深圳市金嘉銳電子有限公司
0755-22929859
FDV302P-NB8V001
北京人上科技有限公司
13910052844(微
FDV302P_NB8V001
北京顯周科技有限公司
13910052844(微
FDV302P_NB8V001
北京顯周科技有限公司
13910052844(微
查看更多FDV302P_NB8V001的供應商
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