FQA55N10詳細規格
- 類別：FET - 單
- 描述：MOSFET N-CH 100V 61A TO-3P
- 系列：QFET™
- 制造商：Fairchild Semiconductor
- FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
- FET特點：標準
- 漏極至源極電壓333Vdss444：100V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C：61A
- 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：26 毫歐 @ 30.5A，10V
- Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs：98nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds：2730pF @ 25V
- 功率_最大：190W
- 安裝類型：通孔
- 封裝/外殼：TO-3P-3，SC-65-3
- 供應商設備封裝：TO-3P
- 包裝：管件
- FET - 單 Fairchild Semiconductor TO-3P-3，SC-65-3 MOSFET P-CH 100V 24A TO-3P
- 陶瓷 TDK Corporation 1210（3225 公制） CAP CER 5600PF 630V 5% NP0 1210
- 芯片電阻 - 表面安裝 Rohm Semiconductor 0805（2012 公制） RES 10.0K OHM 1/4W 1% 0805 SMD
- 陶瓷 TDK Corporation 0603（1608 公制） CAP CER 330PF 100V 5% NP0 0603
- 陶瓷 TDK Corporation 徑向 CAP CER 47UF 6.3V RADIAL
- FET - 單 Fairchild Semiconductor TO-3P-3，SC-65-3 MOSFET N-CH 80V 49.8A TO-3P
- 陶瓷 TDK Corporation 1206（3216 公制） CAP CER 4.7UF 10V 10% X7R 1206
- 芯片電阻 - 表面安裝 Rohm Semiconductor 0805（2012 公制） RES 100K OHM 1/4W 1% 0805 SMD
- 陶瓷 TDK Corporation 1210（3225 公制） CAP CER 5600PF 630V 5% NP0 1210
- 陶瓷 TDK Corporation 1206（3216 公制） CAP CER 4.7UF 10V 10% X7R 1206
- 陶瓷 TDK Corporation 徑向 CAP CER 22UF 10V RADIAL
- 芯片電阻 - 表面安裝 Rohm Semiconductor 0805（2012 公制） RES 10.0 OHM 1/4W 1% 0805 SMD
- 陶瓷 TDK Corporation 1210（3225 公制） CAP CER 5600PF 630V 5% NP0 1210
- 陶瓷 TDK Corporation 0603（1608 公制） CAP CER 680PF 100V 5% NP0 0603
- FET - 單 Fairchild Semiconductor TO-3P-3，SC-65-3 MOSFET N-CH 900V 5.8A TO-3P
133-5299-5145 
0755-15913992 
