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FQB13N06LTM 全國供應商、價格、PDF資料
FQB13N06LTM詳細規格
- 類別：FET - 單
- 描述：MOSFET N-CH 60V 13.6A D2PAK
- 系列：QFET™
- 制造商：Fairchild Semiconductor
- FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
- FET特點：邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444：60V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C：13.6A
- 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：110 毫歐 @ 6.8A，10V
- Id時的Vgs333th444（最大）：2.5V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs：6.4nC @ 5V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds：350pF @ 25V
- 功率_最大：3.75W
- 安裝類型：表面貼裝
- 封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB
- 供應商設備封裝：D²PAK
- 包裝：帶卷 (TR)
- 陶瓷 TDK Corporation 徑向 CAP CER 5600PF 50V 5% RADIAL
- 芯片電阻 - 表面安裝 Rohm Semiconductor 0805（2012 公制） RES 4.30K OHM 1/4W 1% 0805 SMD
- 陶瓷 TDK Corporation 0603（1608 公制） CAP CER 0.022UF 50V 10% X7R 0603
- FET - 單 Fairchild Semiconductor TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB MOSFET N-CH 400V 11.4A D2PAK
- 陶瓷 TDK Corporation - CAP CER 0.1UF 500V 10% X7T 1210
- 陶瓷 TDK Corporation 1210（3225 公制） CAP CER 0.1UF 250V 20% X7R 1210
- 陶瓷 TDK Corporation 徑向 CAP CER 6.8PF 50V RADIAL
- 陶瓷 TDK Corporation 0603（1608 公制） CAP CER 0.022UF 50V 10% X7R 0603
- 芯片電阻 - 表面安裝 Rohm Semiconductor 0805（2012 公制） RES 49.9 OHM 1/4W 1% 0805 SMD
- 陶瓷 TDK Corporation 1210（3225 公制） CAP CER 0.22UF 250V 10% X7R 1210
- 芯片電阻 - 表面安裝 Rohm Semiconductor 0805（2012 公制） RES 4.70 OHM 1/4W 1% 0805 SMD
- 陶瓷 TDK Corporation 徑向 CAP CER 6.8PF 50V RADIAL
- 陶瓷 TDK Corporation 0603（1608 公制） CAP CER 330PF 50V 10% X7R 0603
- 陶瓷 TDK Corporation - CAP CER 0.47UF 100V 10% X7R 1210
- FET - 單 Fairchild Semiconductor TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB MOSFET N-CH 100V 12.8A D2PAK
0755-89697985 
0755-23914006 
