FQB1N60TM詳細規格
- 類別：FET - 單
- 描述：MOSFET N-CH 600V 1.2A D2PAK
- 系列：QFET™
- 制造商：Fairchild Semiconductor
- FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
- FET特點：標準
- 漏極至源極電壓333Vdss444：600V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C：1.2A
- 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：11.5 歐姆 @ 600mA，10V
- Id時的Vgs333th444（最大）：5V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs：6nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds：150pF @ 25V
- 功率_最大：3.13W
- 安裝類型：表面貼裝
- 封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB
- 供應商設備封裝：D²PAK
- 包裝：帶卷 (TR)
- 陶瓷 TDK Corporation 0603（1608 公制） CAP CER 0.033UF 50V 10% X7R 0603
- 陶瓷 TDK Corporation 1210（3225 公制） CAP CER 6800PF 630V 5% NP0 1210
- 陶瓷 TDK Corporation 徑向 CAP CER 100PF 250V 5% RADIAL
- 陶瓷 TDK Corporation - CAP CER 0.47UF 100V 10% X7R 1210
- FET - 單 Fairchild Semiconductor TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB MOSFET N-CH 250V 15.6A D2PAK
- 陶瓷 TDK Corporation 0603（1608 公制） CAP CER 0.033UF 50V 10% X7R 0603
- 芯片電阻 - 表面安裝 Rohm Semiconductor 0805（2012 公制） RES 51.0K OHM 1/4W 1% 0805 SMD
- 陶瓷 TDK Corporation 1210（3225 公制） CAP CER 6800PF 630V 5% NP0 1210
- 陶瓷 TDK Corporation 徑向 CAP CER 180PF 250V 5% RADIAL
- 芯片電阻 - 表面安裝 Rohm Semiconductor 0805（2012 公制） RES 59.0K OHM 1/4W 1% 0805 SMD
- 陶瓷 TDK Corporation 0603（1608 公制） CAP CER 470PF 50V 10% X7R 0603
- 陶瓷 TDK Corporation 徑向 CAP CER 330PF 250V 5% RADIAL
- 陶瓷 TDK Corporation 1210（3225 公制） CAP CER 6800PF 630V 5% NP0 1210
- 陶瓷 TDK Corporation - CAP CER 4.7UF 100V 10% X7S 1210
- FET - 單 Fairchild Semiconductor TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB MOSFET P-CH 500V 1.5A D2PAK
0755-88291559 
0755-23914006 
