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FQB1N60TM 全國供應(yīng)商、價格、PDF資料

FQB1N60TM詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 600V 1.2A D2PAK; 系列：QFET™; 制造商：Fairchild Semiconductor; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：標(biāo)準(zhǔn); 漏極至源極電壓333Vdss444：600V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：1.2A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：11.5 歐姆 @ 600mA，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：5V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：6nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：150pF @ 25V; 功率_最大：3.13W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：D²PAK; 包裝：帶卷 (TR)

FQB1N60TM供應(yīng)商

CGA3E2X7R1H333K
陶瓷 TDK Corporation 0603（1608 公制） CAP CER 0.033UF 50V 10% X7R 0603
CGA6M4C0G2J682J
陶瓷 TDK Corporation 1210（3225 公制） CAP CER 6800PF 630V 5% NP0 1210
FK18C0G2E101J
陶瓷 TDK Corporation 徑向 CAP CER 100PF 250V 5% RADIAL
CGJ6M2X7R2A474K
陶瓷 TDK Corporation - CAP CER 0.47UF 100V 10% X7R 1210
FQB16N25CTM
FET - 單 Fairchild Semiconductor TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB MOSFET N-CH 250V 15.6A D2PAK
CGA3E2X7R1H333K
陶瓷 TDK Corporation 0603（1608 公制） CAP CER 0.033UF 50V 10% X7R 0603
ESR10EZPF5102
芯片電阻 - 表面安裝 Rohm Semiconductor 0805（2012 公制） RES 51.0K OHM 1/4W 1% 0805 SMD
CGA6M4C0G2J682J
陶瓷 TDK Corporation 1210（3225 公制） CAP CER 6800PF 630V 5% NP0 1210
FK18C0G2E181J
陶瓷 TDK Corporation 徑向 CAP CER 180PF 250V 5% RADIAL
ESR10EZPF5902
芯片電阻 - 表面安裝 Rohm Semiconductor 0805（2012 公制） RES 59.0K OHM 1/4W 1% 0805 SMD
CGA3E2X7R1H471K
陶瓷 TDK Corporation 0603（1608 公制） CAP CER 470PF 50V 10% X7R 0603
FK18C0G2E331J
陶瓷 TDK Corporation 徑向 CAP CER 330PF 250V 5% RADIAL
CGA6M4C0G2J682J
陶瓷 TDK Corporation 1210（3225 公制） CAP CER 6800PF 630V 5% NP0 1210
CGJ6M3X7S2A475K
陶瓷 TDK Corporation - CAP CER 4.7UF 100V 10% X7S 1210
FQB1P50TM
FET - 單 Fairchild Semiconductor TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB MOSFET P-CH 500V 1.5A D2PAK