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FQB3N90TM 全國(guó)供應(yīng)商、價(jià)格、PDF資料

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FQB3N90TM詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 900V 3.6A D2PAK; 系列：QFET™; 制造商：Fairchild Semiconductor; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：標(biāo)準(zhǔn); 漏極至源極電壓333Vdss444：900V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：3.6A; 開(kāi)態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：4.25 歐姆 @ 1.8A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：5V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：26nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：910pF @ 25V; 功率_最大：3.13W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：D²PAK; 包裝：帶卷 (TR)

CGR103U030R4L
電容器 Cornell Dubilier Electronics (CDE) 徑向，Can - 螺絲端子 CAP ALUM 10000UF 30V SCREW
FQB34N20TM_AM002
FET - 單 Fairchild Semiconductor TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB MOSFET N-CH 200V 31A D2PAK
CGA3E2X7R2A682K
陶瓷 TDK Corporation 0603（1608 公制） CAP CER 6800PF 100V 10% X7R 0603
CGA6P3X7R1H335K
陶瓷 TDK Corporation 1210（3225 公制） CAP CER 3.3UF 50V 10% X7R 1210
FQB34P10TM
FET - 單 Fairchild Semiconductor TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB MOSFET P-CH 100V 33.5A D2PAK
CGR152T075U2C
電容器 Cornell Dubilier Electronics (CDE) 徑向，Can - 螺絲端子 CAP ALUM 1500UF 75V SCREW
ESR10EZPJ122
芯片電阻 - 表面安裝 Rohm Semiconductor 0805（2012 公制） RES 1.2K OHM 1/4W 5% 0805 SMD
CGA3E2X7R2A682K
陶瓷 TDK Corporation 0603（1608 公制） CAP CER 6800PF 100V 10% X7R 0603
CGA6P3X7R1H335K
陶瓷 TDK Corporation 1210（3225 公制） CAP CER 3.3UF 50V 10% X7R 1210
CGA3E2X8R1E683K
陶瓷 TDK Corporation 0603（1608 公制） CAP CER 0.068UF 25V 10% X8R 0603
ESR10EZPJ123
芯片電阻 - 表面安裝 Rohm Semiconductor 0805（2012 公制） RES 12K OHM 1/4W 5% 0805 SMD
CGA6P3X7S1H106K
陶瓷 TDK Corporation 1210（3225 公制） CAP CER 10UF 50V 10% X7S 1210
ESR10EZPJ130
芯片電阻 - 表面安裝 Rohm Semiconductor 0805（2012 公制） RES 13 OHM 1/4W 5% 0805 SMD
CGA3E2X8R1E683K
陶瓷 TDK Corporation 0603（1608 公制） CAP CER 0.068UF 25V 10% X8R 0603
CGR273U030V5L
電容器 Cornell Dubilier Electronics (CDE) 徑向，Can - 螺絲端子 CAP ALUM 27000UF 30V SCREW

FQB3N90TM 全國(guó)供應(yīng)商、價(jià)格、PDF資料

FQB3N90TM詳細(xì)規(guī)格

FQB3N90TM供應(yīng)商