FQB46N15TM 全國供應商、價格、PDF資料
FQB46N15TM_AM002詳細規格
- 類別：FET - 單
- 描述：MOSFET N-CH 150V 45.6A D2PAK
- 系列：QFET™
- 制造商：Fairchild Semiconductor
- FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
- FET特點：標準
- 漏極至源極電壓333Vdss444：150V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C：45.6A
- 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：42 毫歐 @ 22.8A，10V
- Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs：110nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds：3250pF @ 25V
- 功率_最大：3.75W
- 安裝類型：表面貼裝
- 封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB
- 供應商設備封裝：D²PAK
- 包裝：帶卷 (TR)
- 陶瓷 TDK Corporation 徑向 CAP CER 0.22UF 25V 10% RADIAL
- 陶瓷 TDK Corporation 0603（1608 公制） CAP CER 1000PF 50V 10% X8R 0603
- 芯片電阻 - 表面安裝 Rohm Semiconductor 0805（2012 公制） RES 130 OHM 1/4W 5% 0805 SMD
- 陶瓷 TDK Corporation 1210（3225 公制） CAP CER 10UF 50V 10% X7S 1210
- 單二極管/整流器 Comchip Technology DO-214AA，SMB DIODE GEN PURP 3A 50V DO-214AA
- 陶瓷 TDK Corporation 徑向 CAP CER 0.33UF 25V 10% RADIAL
- 芯片電阻 - 表面安裝 Rohm Semiconductor 0805（2012 公制） RES 130 OHM 1/4W 5% 0805 SMD
- 陶瓷 TDK Corporation 0603（1608 公制） CAP CER 1000PF 50V 10% X8R 0603
- 陶瓷 TDK Corporation 1210（3225 公制） CAP CER 6.8UF 50V 10% X7S 1210
- 芯片電阻 - 表面安裝 Rohm Semiconductor 0805（2012 公制） RES 15 OHM 1/4W 5% 0805 SMD
- 陶瓷 TDK Corporation 0603（1608 公制） CAP CER 10000PF 50V 10% X8R 0603
- 陶瓷 TDK Corporation 徑向 CAP CER 0.68UF 25V 10% RADIAL
- 陶瓷 TDK Corporation 1812（4532 公制） CAP CER 1.5UF 50V 10% X7R 1812
- FET - 單 Fairchild Semiconductor TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB MOSFET N-CH 60V 52.4A D2PAK
- 單二極管/整流器 Comchip Technology DO-214AB，SMC DIODE GEN PURP 3A 50V DO-214AB
0755-83200050 
0755-23914006 
