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FQB5N50CFTM詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 500V 5A D2PAK; 系列：FRFET™; 制造商：Fairchild Semiconductor; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：標準; 漏極至源極電壓333Vdss444：500V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：5A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：1.55 歐姆 @ 2.5A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：24nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：625pF @ 25V; 功率_最大：96W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB; 供應商設備封裝：D²PAK; 包裝：帶卷 (TR)

FQB5N50CFTM詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 500V 5A D2PAK; 系列：FRFET™; 制造商：Fairchild Semiconductor; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：標準; 漏極至源極電壓333Vdss444：500V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：5A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：1.55 歐姆 @ 2.5A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：24nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：625pF @ 25V; 功率_最大：96W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB; 供應商設備封裝：D²PAK; 包裝：剪切帶 (CT)

FQB5N50CFTM詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 500V 5A D2PAK; 系列：FRFET™; 制造商：Fairchild Semiconductor; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：標準; 漏極至源極電壓333Vdss444：500V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：5A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：1.55 歐姆 @ 2.5A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：24nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：625pF @ 25V; 功率_最大：96W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB; 供應商設備封裝：D²PAK; 包裝：Digi-Reel®

FQB5N50CTM詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 500V 5A A.D2PAK; 系列：QFET™; 制造商：Fairchild Semiconductor; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：標準; 漏極至源極電壓333Vdss444：500V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：5A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：1.4 歐姆 @ 2.5A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：24nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：625pF @ 25V; 功率_最大：73W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB; 供應商設備封裝：D²PAK; 包裝：帶卷 (TR)

FQB5N50TM詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 500V 4.5A D2PAK; 系列：QFET™; 制造商：Fairchild Semiconductor; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：標準; 漏極至源極電壓333Vdss444：500V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：4.5A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：1.8 歐姆 @ 2.25A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：5V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：17nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：610pF @ 25V; 功率_最大：3.13W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB; 供應商設備封裝：D²PAK; 包裝：帶卷 (TR)

FCP0805H182J-J1
薄膜 Cornell Dubilier Electronics (CDE) 0805（2012 公制） CAP FILM 1800PF 50VDC 0805
G1.5X2WH72
布線管，配線管道 Panduit Corp DUCT WIRE SLOT PVC WHITE 36"
FOX924B-12.000
振蕩器 Fox Electronics 4-SMD，無引線（DFN，LCC） OSCILLATR TCXO 12.0 MHZ 3.3V SMD
FDMC3020DC
FET - 單 Fairchild Semiconductor 8-PowerVDFN MOSFET N-CH 30V 40A POWER33
FQB50N06TM
FET - 單 Fairchild Semiconductor TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB MOSFET N-CH 60V 50A D2PAK
FT24C16A-UDR-B
存儲器 Fremont Micro Devices USA 8-DIP（0.300"，7.62mm） IC EEPROM 16KBIT 1MHZ 8DIP
ESD03A12VR17V
TVS - 變阻器，MOV Stackpole Electronics Inc 0603（1608 公制） SUPPRESSOR ESD 0.2PF 12VDC 0603
FCP0805H222J
薄膜 Cornell Dubilier Electronics (CDE) 0805（2012 公制） CAP FILM 2200PF 50VDC 0805
FOX924B-14.7456
振蕩器 Fox Electronics 4-SMD，無引線（DFN，LCC） OSCILLTR TCXO14.7456MHZ 3.3V SMD
FDMC510P
FET - 單 Fairchild Semiconductor 8-MLP，MicroFET? MOSFET P-CH 20V 18A 8-MLP
FH12A-10S-0.5SH(55)
FFC，FPC（扁平軟線）- 連接器 - 面板安裝 Hirose Electric Co Ltd CONN FPC/FFC 10POS .5MM HORZ SMD
FT24C16A-UMR-B
存儲器 Fremont Micro Devices USA 8-TSSOP，8-MSOP（0.118"，3.00mm 寬） IC EEPROM 16KBIT 1MHZ 8MSOP
FCP0805H271J
薄膜 Cornell Dubilier Electronics (CDE) 0805（2012 公制） CAP FILM 270PF 50VDC 0805
ESD03A5V5R17V
TVS - 變阻器，MOV Stackpole Electronics Inc 0603（1608 公制） SUPPRESSOR ESD 0.2PF 5.5VDC 0603
FOX924B-25.000
振蕩器 Fox Electronics 4-SMD，無引線（DFN，LCC） OSCILLATOR TCXO 25.0MHZ 3.3V SMD