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FQB85N06TM_AM002詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 60V 85A D2PAK; 系列：QFET™; 制造商：Fairchild Semiconductor; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：標準; 漏極至源極電壓333Vdss444：60V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：85A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：10 毫歐 @ 42.5A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：112nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：4120pF @ 25V; 功率_最大：3.75W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB; 供應商設備封裝：D²PAK; 包裝：帶卷 (TR)

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FQB85N06TM_AM002 深圳市芯澤盛世科技有限公司 0755-89697985
FQB85N06TM_AM002 深圳市諾洋電子科技有限公司 0755-83223003
FQB85N06TM_AM002 北京元坤國際科技有限公司 010-62104931、
FQB85N06TM_AM002 北京首天偉業科技有限公司 010-62104931、
FQB85N06TM_AM002 北京顯周科技有限公司 13910052844（微
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FQB85N06TM_AM002 深圳市金嘉銳電子有限公司 0755-22929859

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