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FQD19N10TM_F080詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 100V 15.6A DPAK; 系列：QFET™; 制造商：Fairchild Semiconductor; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：標準; 漏極至源極電壓333Vdss444：100V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：15.6A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：100 毫歐 @ 7.8A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：25nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：780pF @ 25V; 功率_最大：2.5W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63; 供應商設備封裝：D-Pak; 包裝：帶卷 (TR)

FQD19N10TM_F080供應商

FQD19N10TM_F080 北京首天偉業科技有限公司 010-62104931、
FQD19N10TM_F080 深圳市諾洋電子科技有限公司 0755-83223003
FQD19N10TM_F080 北京元坤國際科技有限公司 010-62104931、
FQD19N10TM_F080 深圳市芯澤盛世科技有限公司 0755-89697985
FQD19N10TM_F080 北京顯周科技有限公司 13910052844（微
FQD19N10TM_F080 北京顯周科技有限公司 13910052844（微
FQD19N10TM_F080 深圳市金嘉銳電子有限公司 0755-22929859

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FET - 單 Fairchild Semiconductor TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63 MOSFET P-CH 60V 12A DPAK
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FQD19N10TM_F080 全國供應商、價格、PDF資料

FQD19N10TM_F080詳細規格

FQD19N10TM_F080供應商

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LSXYKB3K-8A

FQD17P06TM

FTSH-135-01-L-DV-P-TR

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