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FQI4N20 全國供應(yīng)商、價(jià)格、PDF資料

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FQI4N20LTU詳細(xì)規(guī)格

類別：FET - 單
描述：MOSFET N-CH 200V 3.8A I2PAK
系列：QFET™
制造商：Fairchild Semiconductor
FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET特點(diǎn)：邏輯電平門
漏極至源極電壓333Vdss444：200V
電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：3.8A
開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：1.35 歐姆 @ 1.9A，10V
Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：2V @ 250µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs：5.2nC @ 5V
輸入電容333Ciss4440a0Vds：310pF @ 25V
功率_最大：3.13W
安裝類型：通孔
封裝/外殼：TO-262-3，長引線，I²Pak，TO-262AA
供應(yīng)商設(shè)備封裝：I2PAK
包裝：管件

FQI4N20TU詳細(xì)規(guī)格

類別：FET - 單
描述：MOSFET N-CH 200V 3.6A I2PAK
系列：QFET™
制造商：Fairchild Semiconductor
FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET特點(diǎn)：標(biāo)準(zhǔn)
漏極至源極電壓333Vdss444：200V
電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：3.6A
開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：1.4 歐姆 @ 1.8A，10V
Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：5V @ 250µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs：6.5nC @ 10V
輸入電容333Ciss4440a0Vds：220pf @ 25V
功率_最大：3.13W
安裝類型：通孔
封裝/外殼：TO-262-3，長引線，I²Pak，TO-262AA
供應(yīng)商設(shè)備封裝：I2PAK
包裝：管件

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