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FQPF13N50C詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 500V 13A TO-220F; 系列：QFET™; 制造商：Fairchild Semiconductor; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：標(biāo)準(zhǔn); 漏極至源極電壓333Vdss444：500V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：13A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：480 毫歐 @ 6.5A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：56nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：2055pF @ 25V; 功率_最大：48W; 安裝類型：通孔; 封裝/外殼：TO-220-3 整包; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：TO-220F; 包裝：管件

FQPF13N50CF詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 500V 13A TO-220F; 系列：FRFET™; 制造商：Fairchild Semiconductor; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：標(biāo)準(zhǔn); 漏極至源極電壓333Vdss444：500V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：13A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：540 毫歐 @ 6.5A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：56nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：2055pF @ 25V; 功率_最大：48W; 安裝類型：通孔; 封裝/外殼：TO-220-3 整包; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：TO-220F; 包裝：管件

FQPF13N50CSDTU詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 500V 13A TO-220F; 系列：QFET™; 制造商：Fairchild Semiconductor; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：標(biāo)準(zhǔn); 漏極至源極電壓333Vdss444：500V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：13A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：480 毫歐 @ 6.5A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：56nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：2055pF @ 25V; 功率_最大：48W; 安裝類型：通孔; 封裝/外殼：TO-220-3 整包; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：TO-220F; 包裝：管件

FQPF13N50CT詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 500V 13A TO-220F; 系列：QFET™; 制造商：Fairchild Semiconductor; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：標(biāo)準(zhǔn); 漏極至源極電壓333Vdss444：500V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：13A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：480 毫歐 @ 6.5A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：56nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：2055pF @ 25V; 功率_最大：48W; 安裝類型：通孔; 封裝/外殼：TO-220-3 整包; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：TO-220F; 包裝：管件

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FET - 單 Fairchild Semiconductor TO-220-3 整包 MOSFET N-CH 500V 18A TO-220F

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