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FZT603TA 全國供應商、價格、PDF資料

型號：廠商：批號：封裝：
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FZT603TA詳細規格

類別：晶體管(BJT) - 單路
描述：TRANS NPN DAR 80V 2000MA SOT-223
系列：-
制造商：Diodes Inc
晶體管類型：NPN - 達林頓
電流_集電極333Ic444（最大）：2A
電壓_集電極發射極擊穿（最大）：80V
IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：1.13V @ 20mA，2A
電流_集電極截止（最大）：10µA
在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444：5000 @ 500mA，5V
功率_最大：2W
頻率_轉換：150MHz
安裝類型：表面貼裝
封裝/外殼：TO-261-4，TO-261AA
供應商設備封裝：SOT-223
包裝：帶卷 (TR)

FZT603TA詳細規格

類別：晶體管(BJT) - 單路
描述：TRANS NPN DAR 80V 2000MA SOT-223
系列：-
制造商：Diodes Inc
晶體管類型：NPN - 達林頓
電流_集電極333Ic444（最大）：2A
電壓_集電極發射極擊穿（最大）：80V
IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：1.13V @ 20mA，2A
電流_集電極截止（最大）：10µA
在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444：5000 @ 500mA，5V
功率_最大：2W
頻率_轉換：150MHz
安裝類型：表面貼裝
封裝/外殼：TO-261-4，TO-261AA
供應商設備封裝：SOT-223
包裝：Digi-Reel®

FZT603TA詳細規格

類別：晶體管(BJT) - 單路
描述：TRANS NPN DAR 80V 2000MA SOT-223
系列：-
制造商：Diodes Inc
晶體管類型：NPN - 達林頓
電流_集電極333Ic444（最大）：2A
電壓_集電極發射極擊穿（最大）：80V
IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：1.13V @ 20mA，2A
電流_集電極截止（最大）：10µA
在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444：5000 @ 500mA，5V
功率_最大：2W
頻率_轉換：150MHz
安裝類型：表面貼裝
封裝/外殼：TO-261-4，TO-261AA
供應商設備封裝：SOT-223
包裝：剪切帶 (CT)

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