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» 型號"H4BXT-10112-R1-ND"的供應信息
H4BXT-10112-R1-ND 全國供應商、價格、PDF資料
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H4BXT-10112-R1-ND詳細規格
類別:跳線,預壓接線
描述:JUMPER-H9992TR/A3047R/X 12"
系列:DF13
制造商:Hirose Electric Co Ltd
接觸端:插口至線纜(圓形)
長度:12.0"(304.8mm)
線規:30 AWG
觸頭鍍層:錫
顏色:紅
排數:1
導體數:1
觸頭鍍層厚度:-
H4BXT-10112-R1-ND供應商
H4BXT-10112-R1-ND
北京人上科技有限公司
13910052844(微
查看更多H4BXT-10112-R1-ND的供應商
GJM0335C1E2R1WB01D
陶瓷 Murata Electronics North America 0201(0603 公制) CAP CER 2.1PF 25V NP0 0201
H4BXT-10110-W8-ND
跳線,預壓接線 Hirose Electric Co Ltd JUMPER-H9992TR/A3048W/X 10"
HAS030YH-ANG
DC DC Converters Power-One 9-DIP 模塊 CONV DC-DC 24V IN 12V OUT 30W NL
GJM0335C1E2R2CB01D
陶瓷 Murata Electronics North America 0201(0603 公制) CAP CER 2.2PF 25V NP0 0201
HAT2141H-EL-E
FET - 單 Renesas Electronics America SC-100,SOT-669 MOSFET N-CH 100V 15A 5LFPAK
H4BXT-10110-Y8-ND
跳線,預壓接線 Hirose Electric Co Ltd JUMPER-H9992TR/A3048Y/X 10"
GJM0335C1E2R4CB01D
陶瓷 Murata Electronics North America 0201(0603 公制) CAP CER 2.4PF 25V NP0 0201
H4BXT-10112-G1-ND
跳線,預壓接線 Hirose Electric Co Ltd JUMPER-H9992TR/A3047G/X 12"
HAT2160H-EL-E
FET - 單 Renesas Electronics America SC-100,SOT-669 MOSFET N-CH 20V 60A LFPAK
HAT2171H
FET - 單 Renesas Electronics America SC-100,SOT-669 MOSFET N-CH 40V 40A 5LFPAK
GJM0335C1E2R8CB01D
陶瓷 Murata Electronics North America 0201(0603 公制) CAP CER 2.8PF 25V NP0 0201
HAT2173H
FET - 單 Renesas Electronics America SC-100,SOT-669 MOSFET N-CH 100V 25A LFPAK
H4BXT-10112-V1-ND
跳線,預壓接線 Hirose Electric Co Ltd JUMPER-H9992TR/A3047V/X 12"
GJM0335C1E2R9BB01D
陶瓷 Murata Electronics North America 0201(0603 公制) CAP CER 2.9PF 25V NP0 0201
HAT2265H-EL-E
FET - 單 Renesas Electronics America SC-100,SOT-669 MOSFET N-CH 30V 55A 5LFPAK
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