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IDT71V424S10YG詳細規格: 類別：存儲器; 描述：IC SRAM 4MBIT 10NS 36SOJ; 系列：-; 制造商：IDT, Integrated Device Technology Inc; 格式_存儲器：RAM; 存儲器類型：SRAM - 異步; 存儲容量：4M (512K x 8); 速度：10ns; 接口：并聯; 電壓_電源：3 V ~ 3.6 V; 工作溫度：0°C ~ 70°C; 封裝/外殼：36-BSOJ; 供應商器件封裝：36-SOJ; 包裝：管件

IDT71V424S10YG8詳細規格: 類別：存儲器; 描述：IC SRAM 4MBIT 10NS 36SOJ; 系列：-; 制造商：IDT, Integrated Device Technology Inc; 格式_存儲器：RAM; 存儲器類型：SRAM - 異步; 存儲容量：4M (512K x 8); 速度：10ns; 接口：并聯; 電壓_電源：3 V ~ 3.6 V; 工作溫度：0°C ~ 70°C; 封裝/外殼：36-BSOJ; 供應商器件封裝：36-SOJ; 包裝：帶卷 (TR)

IDT71V424S10YG8詳細規格: 類別：存儲器; 描述：IC SRAM 4MBIT 10NS 36SOJ; 系列：-; 制造商：IDT, Integrated Device Technology Inc; 格式_存儲器：RAM; 存儲器類型：SRAM - 異步; 存儲容量：4M (512K x 8); 速度：10ns; 接口：并聯; 電壓_電源：3 V ~ 3.6 V; 工作溫度：0°C ~ 70°C; 封裝/外殼：36-BSOJ; 供應商器件封裝：36-SOJ; 包裝：Digi-Reel®

IDT71V424S10YG8詳細規格: 類別：存儲器; 描述：IC SRAM 4MBIT 10NS 36SOJ; 系列：-; 制造商：IDT, Integrated Device Technology Inc; 格式_存儲器：RAM; 存儲器類型：SRAM - 異步; 存儲容量：4M (512K x 8); 速度：10ns; 接口：并聯; 電壓_電源：3 V ~ 3.6 V; 工作溫度：0°C ~ 70°C; 封裝/外殼：36-BSOJ; 供應商器件封裝：36-SOJ; 包裝：剪切帶 (CT)

IDT71V424S10YGI詳細規格: 類別：存儲器; 描述：IC SRAM 4MBIT 10NS 36SOJ; 系列：-; 制造商：IDT, Integrated Device Technology Inc; 格式_存儲器：RAM; 存儲器類型：SRAM - 異步; 存儲容量：4M (512K x 8); 速度：10ns; 接口：并聯; 電壓_電源：3 V ~ 3.6 V; 工作溫度：-40°C ~ 85°C; 封裝/外殼：36-BSOJ; 供應商器件封裝：36-SOJ; 包裝：管件

IDT71V424S10YGI8詳細規格: 類別：存儲器; 描述：IC SRAM 4MBIT 10NS 36SOJ; 系列：-; 制造商：IDT, Integrated Device Technology Inc; 格式_存儲器：RAM; 存儲器類型：SRAM - 異步; 存儲容量：4M (512K x 8); 速度：10ns; 接口：并聯; 電壓_電源：3 V ~ 3.6 V; 工作溫度：-40°C ~ 85°C; 封裝/外殼：36-BSOJ; 供應商器件封裝：36-SOJ; 包裝：帶卷 (TR)

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IDT71V424S10YG8
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固定式 Vishay Dale 非標準 INDUCTOR POWER 1.0UH 2A SMD
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PMIC - 穩壓器 - 線性 Texas Instruments TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63 IC REG LDO 3.3V 50MA TO252
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數字隔離器 NVE Corp/Isolation Products 8-DIP（0.300"，7.62mm） ISOLATOR TX/RX CMOS 8DIP
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存儲器 IDT, Integrated Device Technology Inc 32-BSOJ IC SRAM 1MBIT 10NS 32SOJ
DRT2-AD04
配件 Omron Electronics Inc-IA Div 模塊 SMART SLAVE 4 ANALOG INPUTS
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固定式 Vishay Dale 非標準 INDUCTOR POWER 1.0UH 2A SMD
IDT89H24NT24G2ZBHLG
專用 IC IDT, Integrated Device Technology Inc 324-BBGA，FCBGA IC PCI SW 24LANE 24PORT 324BGA