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IPA65R190E6 全國供應(yīng)商、價(jià)格、PDF資料

型號：廠商：批號：封裝：
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IPA65R190E6詳細(xì)規(guī)格

類別：FET - 單
描述：MOSFET N-CH 650V 20.2A TO220
系列：CoolMOS™
制造商：Infineon Technologies
FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET特點(diǎn)：標(biāo)準(zhǔn)
漏極至源極電壓333Vdss444：650V
電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：20.2A
開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：190 毫歐 @ 7.3A，10V
Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：3.5V @ 730µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs：73nC @ 10V
輸入電容333Ciss4440a0Vds：1620pF @ 100V
功率_最大：34W
安裝類型：通孔
封裝/外殼：TO-220-3 整包
供應(yīng)商設(shè)備封裝：PG-TO220 整包
包裝：管件

IPA65R190E6供應(yīng)商

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