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IPB180N04S3-02 全國供應商、價格、PDF資料

IPB180N04S3-02詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 40V 180A TO263-7; 系列：OptiMOS™; 制造商：Infineon Technologies; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：標準; 漏極至源極電壓333Vdss444：40V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：180A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：1.5 毫歐 @ 80A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 230µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：210nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：14300pF @ 25V; 功率_最大：300W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-263-7，D²Pak（6 引線+接片），TO-263CB; 供應商設備封裝：PG-TO263-7; 包裝：帶卷 (TR)

IPB180N04S3-02詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 40V 180A TO263-7; 系列：OptiMOS™; 制造商：Infineon Technologies; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：標準; 漏極至源極電壓333Vdss444：40V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：180A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：1.5 毫歐 @ 80A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 230µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：210nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：14300pF @ 25V; 功率_最大：300W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-263-7，D²Pak（6 引線+接片），TO-263CB; 供應商設備封裝：PG-TO263-7; 包裝：剪切帶 (CT)

IPB180N04S3-02詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 40V 180A TO263-7; 系列：OptiMOS™; 制造商：Infineon Technologies; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：標準; 漏極至源極電壓333Vdss444：40V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：180A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：1.5 毫歐 @ 80A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 230µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：210nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：14300pF @ 25V; 功率_最大：300W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-263-7，D²Pak（6 引線+接片），TO-263CB; 供應商設備封裝：PG-TO263-7; 包裝：Digi-Reel®

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Card Edge, Edgeboard Connectors Sullins Connector Solutions CONN EDGECARD 22POS .156 EXTEND
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H6MMH-1018G
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IF-C-FOR
光纖和配件 Industrial Fiberoptics STONE MAGIC OPTIC TV
IR2233S
PMIC - MOSFET，電橋驅動器 - 外部開關 International Rectifier 28-SOIC（0.295"，7.50mm 寬） IC DRIVER 3-PHASE BRIDGE 28-SOIC
DTS24W15-97PN-LC
圓形 - 外殼 TE Connectivity CONN HSG RCPT JAM NUT 12POS PIN
DXJ-5R5V334U
雙電層，超級電容器 Elna America 軸向，CAN - 垂直式 CAP SUPER 0.33F 5.5V RADIAL
H6MMH-1036G
矩形 Assmann WSW Components DIP CABLE - HDM10H/AE10G/HDM10H
HBM11DRTI
Card Edge, Edgeboard Connectors Sullins Connector Solutions CONN EDGECARD 22POS DIP .156 SLD

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