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IPB65R190CFD詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 650V 17.5A TO263; 系列：CoolMOS™; 制造商：Infineon Technologies; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：標(biāo)準(zhǔn); 漏極至源極電壓333Vdss444：650V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：17.5A; 開(kāi)態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：190 毫歐 @ 7.3A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：4.5V @ 730µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：68nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1850pF @ 100V; 功率_最大：151W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：PG-TO263; 包裝：剪切帶 (CT)

IPB65R190CFD詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 650V 17.5A TO263; 系列：CoolMOS™; 制造商：Infineon Technologies; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：標(biāo)準(zhǔn); 漏極至源極電壓333Vdss444：650V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：17.5A; 開(kāi)態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：190 毫歐 @ 7.3A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：4.5V @ 730µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：68nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1850pF @ 100V; 功率_最大：151W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：PG-TO263; 包裝：Digi-Reel®

IPB65R190CFD詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 650V 17.5A TO263; 系列：CoolMOS™; 制造商：Infineon Technologies; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：標(biāo)準(zhǔn); 漏極至源極電壓333Vdss444：650V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：17.5A; 開(kāi)態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：190 毫歐 @ 7.3A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：4.5V @ 730µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：68nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1850pF @ 100V; 功率_最大：151W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：PG-TO263; 包裝：帶卷 (TR)

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FET - 單 Infineon Technologies TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB MOSFET N-CH 650V 31.2A TO263
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晶體管(BJT) - 陣列﹐預(yù)偏壓式 ON Semiconductor SOT-963 TRANS DUAL PBRT PNP SOT-963

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