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IPD80P03P4L-07詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH 30V 80A TO252-3; 系列：OptiMOS™; 制造商：Infineon Technologies; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：80A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：6.8 毫歐 @ 80A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：2V @ 130µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：80nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：5700pF @ 25V; 功率_最大：88W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：PG-TO252-3; 包裝：Digi-Reel®

IPD80P03P4L-07詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH 30V 80A TO252-3; 系列：OptiMOS™; 制造商：Infineon Technologies; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：80A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：6.8 毫歐 @ 80A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：2V @ 130µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：80nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：5700pF @ 25V; 功率_最大：88W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：PG-TO252-3; 包裝：帶卷 (TR)

IPD80P03P4L-07詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH 30V 80A TO252-3; 系列：OptiMOS™; 制造商：Infineon Technologies; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：80A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：6.8 毫歐 @ 80A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：2V @ 130µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：80nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：5700pF @ 25V; 功率_最大：88W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：PG-TO252-3; 包裝：剪切帶 (CT)

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