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IPD80P03P4L-07 全國供應商、價格、PDF資料

型號：廠商：批號：封裝：
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IPD80P03P4L-07詳細規格

類別：FET - 單
描述：MOSFET P-CH 30V 80A TO252-3
系列：OptiMOS™
制造商：Infineon Technologies
FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物
FET特點：邏輯電平門
漏極至源極電壓333Vdss444：30V
電流_連續漏極333Id4440a025000C：80A
開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：6.8 毫歐 @ 80A，10V
Id時的Vgs333th444（最大）：2V @ 130µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs：80nC @ 10V
輸入電容333Ciss4440a0Vds：5700pF @ 25V
功率_最大：88W
安裝類型：表面貼裝
封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63
供應商設備封裝：PG-TO252-3
包裝：Digi-Reel®

IPD80P03P4L-07詳細規格

類別：FET - 單
描述：MOSFET P-CH 30V 80A TO252-3
系列：OptiMOS™
制造商：Infineon Technologies
FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物
FET特點：邏輯電平門
漏極至源極電壓333Vdss444：30V
電流_連續漏極333Id4440a025000C：80A
開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：6.8 毫歐 @ 80A，10V
Id時的Vgs333th444（最大）：2V @ 130µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs：80nC @ 10V
輸入電容333Ciss4440a0Vds：5700pF @ 25V
功率_最大：88W
安裝類型：表面貼裝
封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63
供應商設備封裝：PG-TO252-3
包裝：帶卷 (TR)

IPD80P03P4L-07詳細規格

類別：FET - 單
描述：MOSFET P-CH 30V 80A TO252-3
系列：OptiMOS™
制造商：Infineon Technologies
FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物
FET特點：邏輯電平門
漏極至源極電壓333Vdss444：30V
電流_連續漏極333Id4440a025000C：80A
開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：6.8 毫歐 @ 80A，10V
Id時的Vgs333th444（最大）：2V @ 130µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs：80nC @ 10V
輸入電容333Ciss4440a0Vds：5700pF @ 25V
功率_最大：88W
安裝類型：表面貼裝
封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63
供應商設備封裝：PG-TO252-3
包裝：剪切帶 (CT)

IPD80P03P4L-07供應商

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