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IR2102S詳細(xì)規(guī)格: 類別：PMIC - MOSFET，電橋驅(qū)動(dòng)器 - 外部開關(guān); 描述：IC DRIVER HIGH/LOW SIDE 8-SOIC; 系列：-; 制造商：International Rectifier; 類型：; 配置：高端和低端，獨(dú)立; 輸入類型：反相; 延遲時(shí)間：160ns; 導(dǎo)通電阻：; 電流_峰值：210mA; 電流_輸出/通道：; 配置數(shù)：1; 電流_峰值輸出：; 輸出數(shù)：2; 高壓側(cè)電壓_最大值（自舉）：600V; 電壓_電源：10 V ~ 20 V; 工作溫度：-40°C ~ 125°C; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應(yīng)商器件封裝：8-SOIC N; 包裝：管件

IR2102SPBF詳細(xì)規(guī)格: 類別：PMIC - MOSFET，電橋驅(qū)動(dòng)器 - 外部開關(guān); 描述：IC DRIVER HI/LOW SIDE 8-SOIC; 系列：-; 制造商：International Rectifier; 類型：; 配置：高端和低端，獨(dú)立; 輸入類型：反相; 延遲時(shí)間：160ns; 導(dǎo)通電阻：; 電流_峰值：210mA; 電流_輸出/通道：; 配置數(shù)：1; 電流_峰值輸出：; 輸出數(shù)：2; 高壓側(cè)電壓_最大值（自舉）：600V; 電壓_電源：10 V ~ 20 V; 工作溫度：-40°C ~ 125°C; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應(yīng)商器件封裝：8-SOIC N; 包裝：管件

IR2102STR詳細(xì)規(guī)格: 類別：PMIC - MOSFET，電橋驅(qū)動(dòng)器 - 外部開關(guān); 描述：IC DRIVER HIGH/LOW SIDE 8-SOIC; 系列：-; 制造商：International Rectifier; 類型：; 配置：高端和低端，獨(dú)立; 輸入類型：反相; 延遲時(shí)間：160ns; 導(dǎo)通電阻：; 電流_峰值：210mA; 電流_輸出/通道：; 配置數(shù)：1; 電流_峰值輸出：; 輸出數(shù)：2; 高壓側(cè)電壓_最大值（自舉）：600V; 電壓_電源：10 V ~ 20 V; 工作溫度：-40°C ~ 125°C; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應(yīng)商器件封裝：8-SOIC N; 包裝：帶卷 (TR)

IR2102STRPBF詳細(xì)規(guī)格: 類別：PMIC - MOSFET，電橋驅(qū)動(dòng)器 - 外部開關(guān); 描述：IC DRIVER HIGH/LOW SIDE 8-SOIC; 系列：-; 制造商：International Rectifier; 類型：; 配置：高端和低端，獨(dú)立; 輸入類型：反相; 延遲時(shí)間：160ns; 導(dǎo)通電阻：; 電流_峰值：210mA; 電流_輸出/通道：; 配置數(shù)：1; 電流_峰值輸出：; 輸出數(shù)：2; 高壓側(cè)電壓_最大值（自舉）：600V; 電壓_電源：10 V ~ 20 V; 工作溫度：-40°C ~ 125°C; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應(yīng)商器件封裝：8-SOIC N; 包裝：帶卷 (TR)

ISC1812RQR12K
固定式 Vishay Dale 1812（4532 公制） INDUCTOR WW 120NH 10% 1812
IRG4BC40WPBF
IGBT - 單路 International Rectifier TO-220-3 IGBT WARP 600V 40A TO220AB
IR2086SPBF
PMIC - MOSFET，電橋驅(qū)動(dòng)器 - 外部開關(guān) International Rectifier 16-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） IC DVR FULL BRIDGE HI/LOW 16SOIC
H4BBG-10105-G1-ND
跳線，預(yù)壓接線 Hirose Electric Co Ltd 9-DIP 模塊，1/2 磚 JUMPER-H9991TR/A3047G/H9991TR 5"
GJM0335C1E6R6DB01D
陶瓷 Murata Electronics North America 0201（0603 公制） CAP CER 6.6PF 25V NP0 0201
ISC1812RQR39M
固定式 Vishay Dale 1812（4532 公制） INDUCTOR WW 390NH 20% 1812
IRG4BH20K-LPBF
IGBT - 單路 International Rectifier TO-262-3，長(zhǎng)引線，I²Pak，TO-262AA IGBT UFAST 1200V 11A TO262
IRG4BH20K-S
IGBT - 單路 International Rectifier TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB IGBT UFAST 1200V 11A D2PAK
FDS86141
FET - 單 Fairchild Semiconductor 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） MOSFET N-CH 100V 7A 8-SOIC
GJM0335C1E6R7DB01D
陶瓷 Murata Electronics North America 0201（0603 公制） CAP CER 6.7PF 25V NP0 0201
ISC1812RQR68K
固定式 Vishay Dale 1812（4532 公制） INDUCTOR WW 680NH 10% 1812
IRG4IBC10UDPBF
IGBT - 單路 International Rectifier TO-220-3 整包 IGBT W/DIODE 600V 6.8A TO220FP
IRG4PC20U
IGBT - 單路 International Rectifier TO-247-3 IGBT STD 250V 98A TO-247AC
FDS86242
FET - 單 Fairchild Semiconductor 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） MOSFET N-CH 150V 4.1A 8-SOIC
IR21064PBF
PMIC - MOSFET，電橋驅(qū)動(dòng)器 - 外部開關(guān) International Rectifier 14-DIP（0.300"，7.62mm） IC DRIVER HIGH/LOW SIDE 14DIP

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IRG4BC40WPBF

IR2086SPBF

H4BBG-10105-G1-ND

GJM0335C1E6R6DB01D

ISC1812RQR39M

IRG4BH20K-LPBF

IRG4BH20K-S

FDS86141

GJM0335C1E6R7DB01D

ISC1812RQR68K

IRG4IBC10UDPBF

IRG4PC20U

FDS86242

IR21064PBF