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IRF1010EL詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 60V 84A TO-262; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：標(biāo)準(zhǔn); 漏極至源極電壓333Vdss444：60V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：84A; 開(kāi)態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：12 毫歐 @ 50A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：130nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：3210pF @ 25V; 功率_最大：200W; 安裝類型：通孔; 封裝/外殼：TO-262-3，長(zhǎng)引線，I²Pak，TO-262AA; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：TO-262; 包裝：管件

IRF1010EPBF詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 60V 84A TO-220AB; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：標(biāo)準(zhǔn); 漏極至源極電壓333Vdss444：60V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：84A; 開(kāi)態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：12 毫歐 @ 50A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：130nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：3210pF @ 25V; 功率_最大：200W; 安裝類型：通孔; 封裝/外殼：TO-220-3; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：TO-220AB; 包裝：管件

IRF1010ESTRLPBF詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 60V 84A D2PAK; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：標(biāo)準(zhǔn); 漏極至源極電壓333Vdss444：60V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：84A; 開(kāi)態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：12 毫歐 @ 50A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：130nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：3210pF @ 25V; 功率_最大：200W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：D2PAK; 包裝：Digi-Reel®

IRF1010ESTRLPBF詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 60V 84A D2PAK; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：標(biāo)準(zhǔn); 漏極至源極電壓333Vdss444：60V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：84A; 開(kāi)態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：12 毫歐 @ 50A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：130nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：3210pF @ 25V; 功率_最大：200W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：D2PAK; 包裝：剪切帶 (CT)

IRF1010ESTRLPBF詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 60V 84A D2PAK; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：標(biāo)準(zhǔn); 漏極至源極電壓333Vdss444：60V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：84A; 開(kāi)態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：12 毫歐 @ 50A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：130nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：3210pF @ 25V; 功率_最大：200W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：D2PAK; 包裝：帶卷 (TR)

IRF1010ESTRR詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 60V 84A D2PAK; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：標(biāo)準(zhǔn); 漏極至源極電壓333Vdss444：60V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：84A; 開(kāi)態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：12 毫歐 @ 50A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：130nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：3210pF @ 25V; 功率_最大：200W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：D2PAK; 包裝：帶卷 (TR)

FAD1-06025CHMW12
風(fēng)扇 - DC Qualtek FAN 60X25MM 12VDC HYDRO WIRE
IRD-LPC1768-DEV
通用嵌入式開(kāi)發(fā)板和套件（MCU、DSP、FPGA、CPLD等） Future Designs Inc KIT DEV IND REF DESIGN LPC1768
CRCW251215R8FKTG
芯片電阻 - 表面安裝 Vishay Dale 2512（6432 公制） RES 15.8 OHM 1W 1% 2512 SMD
F681K39Y5RP63K5R
陶瓷 Vishay BC Components 徑向，圓盤(pán) CAP CER 680PF 2KV 10% RADIAL
FAD1-06025DBHW12
風(fēng)扇 - DC Qualtek FAN 60X25MM 24VDC BALL WIRE
EYC.2B.306.NLN
連接器，互連器件 LEMO RECPT NUT FIX CDC 6 CTS
IMC1812ER560K
固定式 Vishay Dale 1812（4532 公制） INDUCTOR WW 56UH 10% 1812
F681K39Y5RP6TK5R
陶瓷 Vishay BC Components 徑向，圓盤(pán) CAP CER 680PF 2KV 10% RADIAL
FAD1-06025DHMW12
風(fēng)扇 - DC Qualtek FAN 60X25MM 24VDC HYDRO WIRE
F681K39Y5RP6XT7RX1
陶瓷 Vishay BC Components 徑向，圓盤(pán) CAP CER 680PF 2KV 10% RADIAL
FAD1-06025DSLW12
風(fēng)扇 - DC Qualtek FAN 60X25MM 24VDC SLEEVE WIRE
EYG.0B.306.CLN
連接器，互連器件 LEMO RECPT NUT FIXNG CDG 6CTS
IMC1812ER561J
固定式 Vishay Dale 1812（4532 公制） INDUCTOR WW 560UH 5% 1812
F681K43Y5RR6UK7R
陶瓷 Vishay BC Components 徑向，圓盤(pán) CAP CER 680PF 3KV 10% RADIAL
FAD1-08015BBHW12
風(fēng)扇 - DC Qualtek FAN 80X15MM 5VDC BALL WIRE

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