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IRF1405Z詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 55V 75A TO-220AB; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：標準; 漏極至源極電壓333Vdss444：55V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：75A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：4.9 毫歐 @ 75A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：180nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：4780pF @ 25V; 功率_最大：230W; 安裝類型：通孔; 封裝/外殼：TO-220-3; 供應商設備封裝：TO-220AB; 包裝：管件

IRF1405ZL詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 55V 75A TO-262; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：標準; 漏極至源極電壓333Vdss444：55V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：75A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：4.9 毫歐 @ 75A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：180nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：4780pF @ 25V; 功率_最大：230W; 安裝類型：通孔; 封裝/外殼：TO-262-3，長引線，I²Pak，TO-262AA; 供應商設備封裝：TO-262; 包裝：管件

IRF1405ZL-7PPBF詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 55V 150A D2PAK; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：標準; 漏極至源極電壓333Vdss444：55V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：120A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：4.9 毫歐 @ 88A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 150µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：230nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：5360pF @ 25V; 功率_最大：230W; 安裝類型：通孔; 封裝/外殼：TO-263-7（直引線）; 供應商設備封裝：TO-263CA-7; 包裝：管件

IRF1405ZLPBF詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 55V 75A TO-262; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：標準; 漏極至源極電壓333Vdss444：55V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：75A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：4.9 毫歐 @ 75A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：180nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：4780pF @ 25V; 功率_最大：230W; 安裝類型：通孔; 封裝/外殼：TO-262-3，長引線，I²Pak，TO-262AA; 供應商設備封裝：TO-262; 包裝：管件

IRF1405ZPBF詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 55V 75A TO-220AB; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：標準; 漏極至源極電壓333Vdss444：55V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：75A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：4.9 毫歐 @ 75A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：180nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：4780pF @ 25V; 功率_最大：230W; 安裝類型：通孔; 封裝/外殼：TO-220-3; 供應商設備封裝：TO-220AB; 包裝：管件

IRF1405ZS詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：標準; 漏極至源極電壓333Vdss444：55V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：75A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：4.9 毫歐 @ 75A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：180nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：4780pF @ 25V; 功率_最大：230W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB; 供應商設備封裝：D2PAK; 包裝：帶卷 (TR)

LP3981IMM-2.5/NOPB
PMIC - 穩壓器 - 線性 Texas Instruments 8-TSSOP，8-MSOP（0.118"，3.00mm 寬） IC REG LDO 2.5V .3A 8MSOP
LCBG-2-01
配件 Richco Plastic Co 6-SMD（0.300"，7.62mm） CIRCUIT BRD GUIDE LOCK .825"L
IRF1405ZL-7PPBF
FET - 單 International Rectifier TO-263-7（直引線） MOSFET N-CH 55V 150A D2PAK
ECW-H16113HL
薄膜 Panasonic Electronic Components 徑向 CAP FILM 0.011UF 1.6KVDC RADIAL
LD02YC271KAB2A
陶瓷 AVX Corporation 0402（1005 公制） CAP CER 270PF 16V 10% X7R 0402
JQ1P-B-12V
功率，高于 2 安 Panasonic Electric Works 9-DIP 模塊，1/2 磚 RELAY GEN PURPOSE SPDT 10A 12V
ECW-U2184KCV
薄膜 Panasonic Electronic Components 2825（7163 公制） CAP FILM 0.18UF 250VDC 2825
K561M15X7RF5TL2
陶瓷 Vishay BC Components 徑向 CAP CER 560PF 50V 20% RADIAL
LP3981IMM-2.8
PMIC - 穩壓器 - 線性 Texas Instruments * IC REG LDO 2.8V .3A 8MSOP
ECW-H16113JV
薄膜 Panasonic Electronic Components 徑向 CAP FILM 0.011UF 1.6KVDC RADIAL
LD02YC271KAB2A
陶瓷 AVX Corporation 0402（1005 公制） CAP CER 270PF 16V 10% X7R 0402
ECW-U2184KCV
薄膜 Panasonic Electronic Components 2825（7163 公制） CAP FILM 0.18UF 250VDC 2825
JQ1P-B-24V
功率，高于 2 安 Panasonic Electric Works 9-DIP 模塊，1/2 磚 RELAY GEN PURPOSE SPDT 10A 24V
LP3981IMM-2.8
PMIC - 穩壓器 - 線性 Texas Instruments * IC REG LDO 2.8V .3A 8MSOP
K561M15X7RH53L2
陶瓷 Vishay BC Components 徑向 CAP CER 560PF 100V X7R RADIAL

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