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IRF1405ZS詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：標(biāo)準(zhǔn); 漏極至源極電壓333Vdss444：55V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：75A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：4.9 毫歐 @ 75A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：180nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：4780pF @ 25V; 功率_最大：230W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：D2PAK; 包裝：帶卷 (TR)

IRF1405ZS-7P詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 55V 120A D2PAK7; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：標(biāo)準(zhǔn); 漏極至源極電壓333Vdss444：55V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：120A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：4.9 毫歐 @ 88A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：4V @ 150µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：230nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：5360pF @ 25V; 功率_最大：230W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-263-7，D²Pak（6 引線+接片），TO-263CB; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：D2PAK（7-Lead）; 包裝：管件

IRF1405ZS-7PPBF詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 55V 120A D2PAK7; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：標(biāo)準(zhǔn); 漏極至源極電壓333Vdss444：55V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：120A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：4.9 毫歐 @ 88A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：4V @ 150µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：230nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：5360pF @ 25V; 功率_最大：230W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-263-7，D²Pak（6 引線+接片），TO-263CB; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：D2PAK（7-Lead）; 包裝：管件

IRF1405ZSPBF詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：標(biāo)準(zhǔn); 漏極至源極電壓333Vdss444：55V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：75A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：4.9 毫歐 @ 75A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：180nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：4780pF @ 25V; 功率_最大：230W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：D2PAK; 包裝：管件

IRF1405ZSTRL-7P詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 55V 120A D2PAK7; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：標(biāo)準(zhǔn); 漏極至源極電壓333Vdss444：55V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：120A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：4.9 毫歐 @ 88A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：4V @ 150µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：230nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：5360pF @ 25V; 功率_最大：230W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-263-7，D²Pak（6 引線+接片），TO-263CB; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：D2PAK（7-Lead）; 包裝：帶卷 (TR)

IRF1405ZSTRL7PP詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 55V 150A D2PAK-7; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：標(biāo)準(zhǔn); 漏極至源極電壓333Vdss444：55V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：120A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：4.9 毫歐 @ 88A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：4V @ 150µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：230nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：5360pF @ 25V; 功率_最大：230W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-263-7，D²Pak（6 引線+接片），TO-263CB; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：D2PAK; 包裝：帶卷 (TR)

FAD1-09225DSHW11
風(fēng)扇 - DC Qualtek FAN 92.5X25MM 24VDC SLEEVE WIRE
F721A686MRC
鉭 Nichicon 2824（7260 公制） CAP TANT 68UF 10V 20% 2824
IRF1405STRRPBF
FET - 單 International Rectifier TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB MOSFET N-CH 55V 131A D2PAK
EYM06DTBN-S189
Card Edge, Edgeboard Connectors Sullins Connector Solutions CONN EDGECARD 12POS R/A .156 SLD
IMC1812ESR10K
固定式 Vishay Dale 1812（4532 公制） INDUCTOR WW 100NH 10% 1812
F721C336KRC
鉭 Nichicon 2824（7260 公制） CAP TANT 33UF 16V 10% 2824
FAD1-09225DSLW11
風(fēng)扇 - DC Qualtek FAN 92.5X25MM 24VDC SLEEVE WIRE
CRCW251217K4FKEG
芯片電阻 - 表面安裝 Vishay Dale 2512（6432 公制） RES 17.4K OHM 1W 1% 2512 SMD
F721C336KRC
鉭 Nichicon 2824（7260 公制） CAP TANT 33UF 16V 10% 2824
EYM06DTBN-S664
Card Edge, Edgeboard Connectors Sullins Connector Solutions CONN EDGECARD 12POS R/A .156 SLD
IMC1812ESR12K
固定式 Vishay Dale 1812（4532 公制） INDUCTOR WW 120NH 10% 1812
F73-5-M
接線座 - 配件 - 導(dǎo)線金屬環(huán) Panduit Corp 2824（7260 公制） FERRULE NON INS 24AWG 7/32"
FAD1-12032CHJW12
風(fēng)扇 - DC Qualtek FAN 120X32.3MM 12VDC HYDRO WIRE
CRCW251217R8FKEG
芯片電阻 - 表面安裝 Vishay Dale 2512（6432 公制） RES 17.8 OHM 1W 1% 2512 SMD
IRF1902GPBF
其它 International Rectifier TO-220-3 MOSFET N-CH 20V 4.2A 8SOIC