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IRF3707ZCS詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 30V 59A D2PAK; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：59A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：9.5 毫歐 @ 21A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：2.25V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：15nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1210pF @ 15V; 功率_最大：57W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB; 供應商設備封裝：D2PAK; 包裝：管件

IRF3707ZCSPBF詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 30V 59A D2PAK; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：59A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：9.5 毫歐 @ 21A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：2.25V @ 25µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：15nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1210pF @ 15V; 功率_最大：57W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB; 供應商設備封裝：D2PAK; 包裝：管件

IRF3707ZCSTRLP詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 30V 59A D2PAK; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：59A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：9.5 毫歐 @ 21A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：2.25V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：15nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1210pF @ 15V; 功率_最大：57W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB; 供應商設備封裝：D2PAK; 包裝：帶卷 (TR)

IRF3707ZCSTRR詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 30V 59A D2PAK; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：59A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：9.5 毫歐 @ 21A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：2.25V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：15nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1210pF @ 15V; 功率_最大：57W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB; 供應商設備封裝：D2PAK; 包裝：帶卷 (TR)

IRF3707ZCSTRRP詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 30V 59A D2PAK; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：59A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：9.5 毫歐 @ 21A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：2.25V @ 25µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：15nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1210pF @ 15V; 功率_最大：57W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB; 供應商設備封裝：D2PAK; 包裝：Digi-Reel®

IRF3707ZCSTRRP詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 30V 59A D2PAK; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：59A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：9.5 毫歐 @ 21A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：2.25V @ 25µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：15nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1210pF @ 15V; 功率_最大：57W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB; 供應商設備封裝：D2PAK; 包裝：剪切帶 (CT)

IRLML2402TR
FET - 單 International Rectifier TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 MOSFET N-CH 20V 1.2A SOT-23
E48SH1R840NRFA
DC DC Converters Delta Product Groups/Power 8-DIP 模塊，1/8 磚 POWER MODULE DC/DC 8TH BRICK 1.8
IRF3707ZCLPBF
FET - 單 International Rectifier TO-262-3，長引線，I²Pak，TO-262AA MOSFET N-CH 30V 59A TO-262
ISL32472EIBZ
接口 - 驅動器，接收器，收發器 Intersil 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） IC TXRX RS485 FAULT PROT 8SOIC
IRG4BC40W-S
IGBT - 單路 International Rectifier TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB IGBT WARP 600V 40A D2PAK
ISL9008IEMZ-T
PMIC - 穩壓器 - 線性 Intersil 6-TSSOP（5 引線），SC-88A，SOT-353 IC REG LDO 3V .15A SC70
E39-L86
配件 Omron Electronics Inc-IA Div MNT BRACKET FOR E3S-43 VERT
IRLML2502GTRPBF
FET - 單 International Rectifier TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 MOSFET N-CH 20V 4.2A SOT-23-3
HM1K51DDP000H6P
背板 - 專用 FCI METRAL HDR RA PWR 5X6
ISL32483EIBZ
接口 - 驅動器，接收器，收發器 Intersil 14-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） IC TXRX RS485 FAULT PROT 14SOIC
IRG4BC40W-STRRP
IGBT - 單路 International Rectifier TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB IGBT N-CH 600V 40A D2PAK
ISL9011AIRBBZ
PMIC - 穩壓器 - 線性 Intersil 10-VFDFN 裸露焊盤 IC REG LDO 1.5V .15A/.3A 10-DFN
E39-L87
配件 Omron Electronics Inc-IA Div MNT BRACKET FOR E3S-C VERT
HM1L41DDP000H6P
背板 - 專用 FCI METRAL HDR RA PF 4X6
IRLML2803TRPBF
FET - 單 International Rectifier TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 MOSFET N-CH 30V 1.2A SOT-23