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IRF3711詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 20V 110A TO-220AB; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：20V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：110A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：6 毫歐 @ 15A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：44nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：2980pF @ 10V; 功率_最大：3.1W; 安裝類型：通孔; 封裝/外殼：TO-220-3; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：TO-220AB; 包裝：管件

IRF3711L詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 20V 110A TO-262; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：20V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：110A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：6 毫歐 @ 15A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：44nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：2980pF @ 10V; 功率_最大：3.1W; 安裝類型：通孔; 封裝/外殼：TO-262-3，長引線，I²Pak，TO-262AA; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：TO-262; 包裝：管件

IRF3711LPBF詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 20V 110A TO-262; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：20V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：110A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：6 毫歐 @ 15A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：44nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：2980pF @ 10V; 功率_最大：3.1W; 安裝類型：通孔; 封裝/外殼：TO-262-3，長引線，I²Pak，TO-262AA; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：TO-262; 包裝：管件

IRF3711PBF詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 20V 110A TO-220AB; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：20V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：110A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：6 毫歐 @ 15A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：44nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：2980pF @ 10V; 功率_最大：3.1W; 安裝類型：通孔; 封裝/外殼：TO-220-3; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：TO-220AB; 包裝：管件

IRF3711S詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 20V 110A D2PAK; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：20V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：110A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：6 毫歐 @ 15A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：44nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：2980pF @ 10V; 功率_最大：3.1W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：D2PAK; 包裝：管件

IRF3711SPBF詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 20V 110A D2PAK; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：20V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：110A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：6 毫歐 @ 15A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：44nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：2980pF @ 10V; 功率_最大：3.1W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：D2PAK; 包裝：管件

HM1S41FSR000H6LF
背板 - 專用 FCI METRAL RCT STR STB 4X6
IRLMS1902TRPBF
FET - 單 International Rectifier 6-LSOP（0.063"，1.60mm 寬） MOSFET N-CH 20V 3.2A 6-TSOP
IRG4PC40U
IGBT - 單路 International Rectifier TO-247-3 IGBT UFAST 600V 40A TO-247AC
E39-L93H
配件 Omron Electronics Inc-IA Div BRACKET ADJUST HEIGHT/ANGLE E3Z
ISL9011AIRPLZ-T
PMIC - 穩(wěn)壓器 - 線性 Intersil 10-VFDFN 裸露焊盤 IC REG LDO 1.85V/2.9V 10-DFN
ISL3259EIUZ
接口 - 驅(qū)動器，接收器，收發(fā)器 Intersil 8-TSSOP，8-MSOP（0.118"，3.00mm 寬） IC TXRX ESD 5V RS485/422 8-MSOP
IRG4PC50SDPBF
IGBT - 單路 International Rectifier TO-247-3 IGBT N-CH 600V 70A TO-247AC
HM1S49FERB09H6
背板 - 專用 FCI METRAL RCT STR PF 4X18
IRLMS2002TRPBF
FET - 單 International Rectifier 6-LSOP（0.063"，1.60mm 寬） MOSFET N-CH 20V 6.5A 6-TSOP
ISL9011IRBBZ
PMIC - 穩(wěn)壓器 - 線性 Intersil 10-VFDFN 裸露焊盤 IC REG LDO 1.5V .15A/.3A 10-DFN
E39-L93V
配件 Omron Electronics Inc-IA Div BRACKET ADJUST HEIGHT/ANGLE E3Z
ISL32600EFBZ-T7A
接口 - 驅(qū)動器，接收器，收發(fā)器 Intersil 14-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） IC TXRX RS485/RS422 14SOIC
IRG4PC50UPBF
IGBT - 單路 International Rectifier TO-247-3 IGBT UFAST 600V 55A TO247AC
HM1S49FERB26H6
背板 - 專用 FCI METRAL RCT STR PF 4X42
IRLMS5703TRPBF
FET - 單 International Rectifier 6-LSOP（0.063"，1.60mm 寬） MOSFET P-CH 30V 2.4A 6-TSOP

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