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IRF3711STRLPBF詳細規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 20V 110A D2PAK; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：20V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：110A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：6 毫歐 @ 15A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：44nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：2980pF @ 10V; 功率_最大：3.1W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB; 供應商設備封裝：D2PAK; 包裝：剪切帶 (CT)

IRF3711STRLPBF詳細規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 20V 110A D2PAK; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：20V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：110A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：6 毫歐 @ 15A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：44nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：2980pF @ 10V; 功率_最大：3.1W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB; 供應商設備封裝：D2PAK; 包裝：帶卷 (TR)

IRF3711STRLPBF詳細規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 20V 110A D2PAK; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：20V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：110A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：6 毫歐 @ 15A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：44nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：2980pF @ 10V; 功率_最大：3.1W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB; 供應商設備封裝：D2PAK; 包裝：Digi-Reel®

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FET - 陣列 International Rectifier 6-TSOP（0.059"，1.50mm 寬） MOSFET N-CH DUAL 20V 2.7A 6-TSOP
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FET - 單 International Rectifier 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） MOSFET N-CH 60V 7A 8-SOIC
HCM18DSES-S243
Card Edge, Edgeboard Connectors Sullins Connector Solutions 非標準 CONN EDGECARD 36POS .156 EYELET
IPP80N06S3L-05
FET - 單 Infineon Technologies TO-220-3 MOSFET N-CH 55V 80A TO-220
IMP1-3E0-2D0-1E0-4LL0-00-A
AC DC 轉換器 Emerson Network Power/Embedded Power SC-74，SOT-457 IMP CONFIGURABLE POWER SUPPLY
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