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IRF530詳細規格
- 類別：FET - 單
- 描述：MOSFET N-CH 100V 14A TO-220
- 系列：STripFET™
- 制造商：STMicroelectronics
- FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
- FET特點：標準
- 漏極至源極電壓333Vdss444：100V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C：14A
- 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：160 毫歐 @ 7A，10V
- Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs：21nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds：458pF @ 25V
- 功率_最大：60W
- 安裝類型：通孔
- 封裝/外殼：TO-220-3
- 供應商設備封裝：TO-220AB
- 包裝：管件
IRF530詳細規格
- 類別：FET - 單
- 描述：MOSFET N-CH 100V 14A TO-220AB
- 系列：-
- 制造商：Vishay Siliconix
- FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
- FET特點：標準
- 漏極至源極電壓333Vdss444：100V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C：14A
- 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：160 毫歐 @ 8.4A，10V
- Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs：26nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds：670pF @ 25V
- 功率_最大：88W
- 安裝類型：通孔
- 封裝/外殼：TO-220-3
- 供應商設備封裝：TO-220AB
- 包裝：管件
IRF5305L詳細規格
- 類別：FET - 單
- 描述：MOSFET P-CH 55V 31A TO-262
- 系列：HEXFET®
- 制造商：International Rectifier
- FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物
- FET特點：標準
- 漏極至源極電壓333Vdss444：55V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C：31A
- 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：60 毫歐 @ 16A，10V
- Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs：63nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1200pF @ 25V
- 功率_最大：3.8W
- 安裝類型：通孔
- 封裝/外殼：TO-262-3，長引線，I²Pak，TO-262AA
- 供應商設備封裝：TO-262
- 包裝：管件
IRF5305LPBF詳細規格
- 類別：FET - 單
- 描述：MOSFET P-CH 55V 31A TO-262
- 系列：HEXFET®
- 制造商：International Rectifier
- FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物
- FET特點：標準
- 漏極至源極電壓333Vdss444：55V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C：31A
- 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：60 毫歐 @ 16A，10V
- Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs：63nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1200pF @ 25V
- 功率_最大：3.8W
- 安裝類型：通孔
- 封裝/外殼：TO-262-3，長引線，I²Pak，TO-262AA
- 供應商設備封裝：TO-262
- 包裝：管件
IRF5305PBF詳細規格
- 類別：FET - 單
- 描述：MOSFET P-CH 55V 31A TO-220AB
- 系列：HEXFET®
- 制造商：International Rectifier
- FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物
- FET特點：標準
- 漏極至源極電壓333Vdss444：55V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C：31A
- 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：60 毫歐 @ 16A，10V
- Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs：63nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1200pF @ 25V
- 功率_最大：110W
- 安裝類型：通孔
- 封裝/外殼：TO-220-3
- 供應商設備封裝：TO-220AB
- 包裝：管件
IRF5305S詳細規格
- 類別：FET - 單
- 描述：MOSFET P-CH 55V 31A D2PAK
- 系列：HEXFET®
- 制造商：International Rectifier
- FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物
- FET特點：標準
- 漏極至源極電壓333Vdss444：55V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C：31A
- 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：60 毫歐 @ 16A，10V
- Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs：63nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1200pF @ 25V
- 功率_最大：3.8W
- 安裝類型：表面貼裝
- 封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB
- 供應商設備封裝：D2PAK
- 包裝：管件
- 固定式 Vishay Dale 非標準 INDUCTOR POWER .68UH 34A SMD
- PMIC - 穩壓器 - DC DC 開關穩壓器 Texas Instruments TO-263-8，D²Pak（7 引線+接片），TO-263CA IC REG BUCK 3.3V 5A TO263-7
- FET - 單 Infineon Technologies TO-220-3 MOSFET N-CH 55V 80A TO220-3
- FET - 單 International Rectifier TO-262-3，長引線，I²Pak，TO-262AA MOSFET P-CH 55V 31A TO-262
- DIP E-Switch SW DIP LOW PRO 10 POS GOLD
- 陶瓷 Vishay BC Components 徑向 CAP CER 0.033UF 100V 10% RADIAL
- 未定義的系列 Texas Instruments * IC TEMP SENSOR DGTL 16-SSOP
- 接口 - 驅動器，接收器，收發器 Intersil 14-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） TXRX ESD RS-485/422 LP 14-SOIC
- PMIC - 穩壓器 - DC DC 開關穩壓器 Texas Instruments * IC REG BUCK ADJ 5A TO263-7
- 底座安裝電阻器 Stackpole Electronics Inc 軸向，盒 RES 12 OHM 12.5W 1% WW ALM
- FET - 單 Infineon Technologies TO-220-3 MOSFET N-CH 60V 80A TO220-3
- 陶瓷 Vishay BC Components 徑向 CAP CER 0.033UF 100V 10% RADIAL
- 接口 - 驅動器，接收器，收發器 Intersil 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） IC TXRX RS485/422 3.3V HS 8-SOIC
- 接口 - 專用 Texas Instruments 36-WFBGA IC MOBILE I/O COMPAN 36MICRARRAY
- PMIC - 穩壓器 - DC DC 開關穩壓器 Texas Instruments TO-220-7 成形引線 IC REG BUCK ADJ 5A TO220-7
0755-82522939 
