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IRF5305S詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH 55V 31A D2PAK; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點：標準; 漏極至源極電壓333Vdss444：55V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：31A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：60 毫歐 @ 16A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：63nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1200pF @ 25V; 功率_最大：3.8W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB; 供應商設備封裝：D2PAK; 包裝：管件

IRF5305SPBF詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH 55V 31A D2PAK; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點：標準; 漏極至源極電壓333Vdss444：55V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：31A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：60 毫歐 @ 16A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：63nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1200pF @ 25V; 功率_最大：3.8W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB; 供應商設備封裝：D2PAK; 包裝：管件

IRF5305STRLPBF詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH 55V 31A D2PAK; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點：標準; 漏極至源極電壓333Vdss444：55V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：31A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：60 毫歐 @ 16A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：63nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1200pF @ 25V; 功率_最大：3.8W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB; 供應商設備封裝：D2PAK; 包裝：Digi-Reel®

IRF5305STRLPBF詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH 55V 31A D2PAK; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點：標準; 漏極至源極電壓333Vdss444：55V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：31A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：60 毫歐 @ 16A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：63nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1200pF @ 25V; 功率_最大：3.8W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB; 供應商設備封裝：D2PAK; 包裝：帶卷 (TR)

IRF5305STRLPBF詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH 55V 31A D2PAK; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點：標準; 漏極至源極電壓333Vdss444：55V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：31A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：60 毫歐 @ 16A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：63nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1200pF @ 25V; 功率_最大：3.8W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB; 供應商設備封裝：D2PAK; 包裝：剪切帶 (CT)

IRF5305STRR詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH 55V 31A D2PAK; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點：標準; 漏極至源極電壓333Vdss444：55V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：31A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：60 毫歐 @ 16A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：63nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1200pF @ 25V; 功率_最大：3.8W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB; 供應商設備封裝：D2PAK; 包裝：帶卷 (TR)

IXYH40N120B3D1
IGBT - 單路 IXYS * IGBT B3 1200V 86A TO-247
ISL6520ACR
PMIC - 穩壓器 - DC DC 切換控制器 Intersil 16-VQFN 裸露焊盤 IC REG CTRLR BUCK PWM VM 16-QFN
ISD1416S
接口 - 語音錄制和重放 Nuvoton Technology Corporation of America 28-SOIC（0.295"，7.50mm 寬） IC VOICE REC/PLAY 16S 28-SOIC
IRF5210STRLPBF
FET - 單 International Rectifier TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB MOSFET P-CH 100V 38A D2PAK
ECS-184-S-18-TR
晶體 ECS Inc 4-SMD，無引線（DFN，LCC） CRYSTAL 18.432MHZ SERIES SMD
LP2986ILD-3.3/NOPB
PMIC - 穩壓器 - 線性 Texas Instruments 8-WDFN 裸露焊盤 IC REG LDO 3.3V .2A 8-LLP
ECS-143-20-28AX-TR
晶體 ECS Inc HC49/US CRYSTAL 14.31818MHZ 20PF SMD
LMV358MM
Linear - Amplifiers - Instrumentation, OP Amps, Buffer Amps Texas Instruments 8-TSSOP，8-MSOP（0.118"，3.00mm 寬） IC OP AMP DUAL LOW V R-R 8-MSOP
IXYN100N120C3
IGBT IXYS SOT-227-4，miniBLOC IGBT XPT 1200V 152A SOT-227B
ISD1420SI
接口 - 語音錄制和重放 Nuvoton Technology Corporation of America 28-SOIC（0.295"，7.50mm 寬） IC VOICE REC/PLAY 20SEC 28-SOIC
ECS-184-S-18-TR
晶體 ECS Inc 4-SMD，無引線（DFN，LCC） CRYSTAL 18.432MHZ SERIES SMD
ECS-143-20-4DN
晶體 ECS Inc HC49/US CRYSTAL 14.31818 MHZ 20PF 49US
LMV358MM/NOPB
Linear - Amplifiers - Instrumentation, OP Amps, Buffer Amps Texas Instruments 8-TSSOP，8-MSOP（0.118"，3.00mm 寬） IC OP AMP DUAL LOW VOLT 8MSOP
IXYN100N120C3H1
IGBT IXYS SOT-227-4，miniBLOC IGBT XPT 1200V 134A SOT-227B
ISL6520AIBZS2698
PMIC - 穩壓器 - DC DC 切換控制器 Intersil 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） IC REG CTRLR BUCK PWM VM 8-SOIC