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IRF5805TR詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH 30V 3.8A 6-TSOP; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：3.8A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：98 毫歐 @ 3.8A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：2.5V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：17nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：511pF @ 25V; 功率_最大：2W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：6-TSOP（0.059"，1.50mm 寬）; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：Micro6?（TSOP-6）; 包裝：帶卷 (TR)

IRF5805TRPBF詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH 30V 3.8A 6-TSOP; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：3.8A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：98 毫歐 @ 3.8A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：2.5V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：17nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：511pF @ 25V; 功率_最大：2W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：6-TSOP（0.059"，1.50mm 寬）; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：Micro6?（TSOP-6）; 包裝：剪切帶 (CT)

IRF5805TRPBF詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH 30V 3.8A 6-TSOP; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：3.8A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：98 毫歐 @ 3.8A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：2.5V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：17nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：511pF @ 25V; 功率_最大：2W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：6-TSOP（0.059"，1.50mm 寬）; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：Micro6?（TSOP-6）; 包裝：Digi-Reel®

IRF5805TRPBF詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH 30V 3.8A 6-TSOP; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：3.8A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：98 毫歐 @ 3.8A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：2.5V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：17nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：511pF @ 25V; 功率_最大：2W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：6-TSOP（0.059"，1.50mm 寬）; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：Micro6?（TSOP-6）; 包裝：帶卷 (TR)

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