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IRF610詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 200V 3.3A TO-220AB; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：標(biāo)準(zhǔn); 漏極至源極電壓333Vdss444：200V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：3.3A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：1.5 歐姆 @ 2A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：8.2nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：140pF @ 25V; 功率_最大：36W; 安裝類型：通孔; 封裝/外殼：TO-220-3; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：TO-220AB; 包裝：管件

IRF6100詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH 20V 5.1A FLIP-FET; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：20V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：5.1A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：65 毫歐 @ 5.1A，4.5V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：1.2V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：21nC @ 5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1230pF @ 15V; 功率_最大：2.2W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：4-FlipFet?; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：4-FlipFet?; 包裝：剪切帶 (CT)

IRF6100詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH 20V 5.1A FLIP-FET; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：20V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：5.1A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：65 毫歐 @ 5.1A，4.5V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：1.2V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：21nC @ 5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1230pF @ 15V; 功率_最大：2.2W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：4-FlipFet?; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：4-FlipFet?; 包裝：帶卷 (TR)

IRF6100PBF詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH 20V 5.1A FLIPFET; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：20V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：5.1A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：65 毫歐 @ 5.1A，4.5V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：1.2V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：21nC @ 5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1230pF @ 15V; 功率_最大：2.2W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：4-FlipFet?; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：4-FlipFet?; 包裝：帶卷 (TR)

IRF610L詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 200V 3.3A TO-262; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：標(biāo)準(zhǔn); 漏極至源極電壓333Vdss444：200V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：3.3A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：1.5 歐姆 @ 2A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：8.2nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：140pF @ 25V; 功率_最大：3W; 安裝類型：通孔; 封裝/外殼：TO-262-3，長(zhǎng)引線，I²Pak，TO-262AA; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：TO-262; 包裝：管件

IRF610LPBF詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 200V 3.3A TO-262; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：標(biāo)準(zhǔn); 漏極至源極電壓333Vdss444：200V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：3.3A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：1.5 歐姆 @ 2A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：8.2nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：140pF @ 25V; 功率_最大：36W; 安裝類型：通孔; 封裝/外殼：TO-262-3，長(zhǎng)引線，I²Pak，TO-262AA; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：I2PAK; 包裝：管件

LM2687LD/NOPB
PMIC - 穩(wěn)壓器 - DC DC 開關(guān)穩(wěn)壓器 Texas Instruments 8-WFDFN 裸露焊盤 IC REG SWITCHD CAP INV ADJ 8-LLP
IPR5FAD2
按鈕 APEM Components, LLC TO-220-3 SWITCH PUSH SPDT 0.5A 48V
IRF5852TRPBF
FET - 陣列 International Rectifier 6-TSOP（0.059"，1.50mm 寬） MOSFET N-CH DUAL 20V 2.7A 6-TSOP
ISL83488IB-T
接口 - 驅(qū)動(dòng)器，接收器，收發(fā)器 Intersil 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） IC TXRX RS485/422 3.3V LP 8-S
LM8364BALMFX30/NOPB
PMIC - 監(jiān)控器 Texas Instruments SC-74A，SOT-753 IC DETECTOR UNDERVOLT 3V SOT23-5
K334J20X7RF5TH5
陶瓷 Vishay BC Components 徑向 CAP CER 0.33UF 50V 5% RADIAL
LM2687LD/NOPB
PMIC - 穩(wěn)壓器 - DC DC 開關(guān)穩(wěn)壓器 Texas Instruments 8-WFDFN 裸露焊盤 IC REG SWITCHD CAP INV ADJ 8-LLP
IHLP6767GZER3R3M11
固定式 Vishay Dale 非標(biāo)準(zhǔn) INDUCTOR POWER 3.3UH 35A SMD
KAP1109RT
DIP E-Switch SW DIP PIANO SPST 9 POS SEALED
ISL83490IBZ-T
接口 - 驅(qū)動(dòng)器，接收器，收發(fā)器 Intersil 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） IC TXRX RS485/422 3.3V LP 8SOIC
LM8365BALMF27/NOPB
PMIC - 監(jiān)控器 Texas Instruments SC-74A，SOT-753 IC DETECT UNDERVOLT 2.7V SOT23-5
K334K20X7RF5UL2
陶瓷 Vishay BC Components 徑向 CAP CER 0.33UF 50V 10% RADIAL
IPR5SAD2
按鈕 APEM Components, LLC TO-220-3 SWITCH PUSH SPDT 0.5A 48V
IHLP6767GZER3R3M11
固定式 Vishay Dale 非標(biāo)準(zhǔn) INDUCTOR POWER 3.3UH 35A SMD
LM2687MM
PMIC - 穩(wěn)壓器 - DC DC 開關(guān)穩(wěn)壓器 Texas Instruments * IC REG SWITCHD CAP INV ADJ 8MSOP