

IRF630詳細規格
- 類別:FET - 單
- 描述:MOSFET N-CH 200V 9A TO-220
- 系列:MESH OVERLAY™
- 制造商:STMicroelectronics
- FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
- FET特點:邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444:200V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C:9A
- 開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:400 毫歐 @ 4.5A,10V
- Id時的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:45nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:700pF @ 25V
- 功率_最大:75W
- 安裝類型:通孔
- 封裝/外殼:TO-220-3
- 供應商設備封裝:TO-220AB
- 包裝:管件
IRF630B_FP001詳細規格
- 類別:FET - 單
- 描述:MOSFET N-CH 200V 9A TO-220
- 系列:-
- 制造商:Fairchild Semiconductor
- FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
- FET特點:標準
- 漏極至源極電壓333Vdss444:200V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C:9A
- 開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:400 毫歐 @ 4.5A,10V
- Id時的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:29nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:720pF @ 25V
- 功率_最大:72W
- 安裝類型:通孔
- 封裝/外殼:TO-220-3
- 供應商設備封裝:TO-220
- 包裝:管件
IRF630BTSTU_FP001詳細規格
- 類別:FET - 單
- 描述:MOSFET N-CH 200V 9A TO-220
- 系列:-
- 制造商:Fairchild Semiconductor
- FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
- FET特點:標準
- 漏極至源極電壓333Vdss444:200V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C:9A
- 開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:400 毫歐 @ 4.5A,10V
- Id時的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:29nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:720pF @ 25V
- 功率_最大:72W
- 安裝類型:通孔
- 封裝/外殼:TO-220-3
- 供應商設備封裝:TO-220
- 包裝:管件
IRF630FP詳細規格
- 類別:FET - 單
- 描述:MOSFET N-CH 200V 9A TO-220FP
- 系列:MESH OVERLAY™
- 制造商:STMicroelectronics
- FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
- FET特點:邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444:200V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C:9A
- 開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:400 毫歐 @ 4.5A,10V
- Id時的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:45nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:700pF @ 25V
- 功率_最大:30W
- 安裝類型:通孔
- 封裝/外殼:TO-220-3 整包
- 供應商設備封裝:TO-220FP
- 包裝:管件
IRF630L詳細規格
- 類別:FET - 單
- 描述:MOSFET N-CH 200V 9A TO-262
- 系列:-
- 制造商:Vishay Siliconix
- FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
- FET特點:標準
- 漏極至源極電壓333Vdss444:200V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C:9A
- 開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:400 毫歐 @ 5.4A,10V
- Id時的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:43nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:800pF @ 25V
- 功率_最大:3W
- 安裝類型:通孔
- 封裝/外殼:TO-262-3,長引線,I²Pak,TO-262AA
- 供應商設備封裝:I2PAK
- 包裝:管件
IRF630NL詳細規格
- 類別:FET - 單
- 描述:MOSFET N-CH 200V 9.3A TO-262
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
- FET特點:標準
- 漏極至源極電壓333Vdss444:200V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C:9.3A
- 開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:300 毫歐 @ 5.4A,10V
- Id時的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:35nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:575pF @ 25V
- 功率_最大:82W
- 安裝類型:通孔
- 封裝/外殼:TO-262-3,長引線,I²Pak,TO-262AA
- 供應商設備封裝:TO-262
- 包裝:管件
- 固定式 Vishay Dale 非標準 INDUCTOR POWER .10UH 60A SMD
- PMIC - 穩流/電流管理 Texas Instruments SC-74A,SOT-753 IC CURRENT MONITOR 0.5% SOT23-5
- 鉭 Nichicon 0805(2012 公制) CAP TANT 47UF 10V 20% SMD
- 網絡、陣列 Panasonic Electronic Components 0606(1616 公制),凸起 RES ARRAY 62K OHM 2 RES 0606
- FET - 單 Fairchild Semiconductor TO-220-3 MOSFET N-CH 200V 9A TO-220
- 鉭 Nichicon 0603(1608 公制) CAP TANT 1UF 20V 20% 0603
- 固定式 Vishay Dale 非標準 INDUCTOR POWER .40UH 44A SMD
- PMIC - 穩流/電流管理 Texas Instruments 8-TSSOP(0.173",4.40mm 寬) IC CURRENT MONITOR 0.5% 8TSSOP
- 光學 - LED,燈 - 透鏡 Ledil - LENS FOR LUXEON K2
- 光學 - LED,燈 - 透鏡 Ledil - LENS FOR CREE MX-6
- 固定式 Vishay Dale 非標準 INDUCTOR POWER 2.2UH 26A SMD
- PMIC - 穩流/電流管理 Texas Instruments SC-74A,SOT-753 IC CURRENT MONITOR 0.5% SOT23-5
- 網絡、陣列 Panasonic Electronic Components 0606(1616 公制),凸起 RES ARRAY 6.8 OHM 2 RES 0606
- 光學 - LED,燈 - 透鏡 Ledil - LENS FOR CREE MX-6
- FET - 單 International Rectifier TO-263-3,D²Pak(2 引線+接片),TO-263AB MOSFET N-CH 200V 9.3A D2PAK