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IRF644N詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 250V 14A TO-220AB; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：標準; 漏極至源極電壓333Vdss444：250V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：14A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：240 毫歐 @ 8.4A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：54nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1060pF @ 25V; 功率_最大：150W; 安裝類型：通孔; 封裝/外殼：TO-220-3; 供應商設備封裝：TO-220AB; 包裝：管件

IRF644NLPBF詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 250V 14A TO-262; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：標準; 漏極至源極電壓333Vdss444：250V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：14A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：240 毫歐 @ 8.4A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：54nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1060pF @ 25V; 功率_最大：150W; 安裝類型：通孔; 封裝/外殼：TO-262-3，長引線，I²Pak，TO-262AA; 供應商設備封裝：I2PAK; 包裝：管件

IRF644NPBF詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 250V 14A TO-220AB; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：標準; 漏極至源極電壓333Vdss444：250V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：14A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：240 毫歐 @ 8.4A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：54nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1060pF @ 25V; 功率_最大：150W; 安裝類型：通孔; 封裝/外殼：TO-220-3; 供應商設備封裝：TO-220AB; 包裝：管件

IRF644NS詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 250V 14A D2PAK; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：標準; 漏極至源極電壓333Vdss444：250V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：14A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：240 毫歐 @ 8.4A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：54nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1060pF @ 25V; 功率_最大：150W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB; 供應商設備封裝：D2PAK; 包裝：管件

IRF644NSPBF詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 250V 14A D2PAK; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：標準; 漏極至源極電壓333Vdss444：250V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：14A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：240 毫歐 @ 8.4A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：54nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1060pF @ 25V; 功率_最大：150W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB; 供應商設備封裝：D2PAK; 包裝：管件

IRF644NSTRL詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 250V 14A D2PAK; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：標準; 漏極至源極電壓333Vdss444：250V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：14A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：240 毫歐 @ 8.4A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：54nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1060pF @ 25V; 功率_最大：150W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB; 供應商設備封裝：D2PAK; 包裝：帶卷 (TR)

IRF7601PBF
FET - 單 International Rectifier 8-TSSOP，8-MSOP（0.118"，3.00mm 寬） MOSFET N-CH 20V 5.7A MICRO-8
H3AXG-10110-G4-ND
跳線，預壓接線 Hirose Electric Co Ltd JUMPER-H1507TR/A2015G/X 10"
IRF640STRRPBF
FET - 單 Vishay Siliconix TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB MOSFET N-CH 200V 18A D2PAK
E32-T21L
配件 Omron Electronics Inc-IA Div SENS FIBER 10CM LONG DIST M3
IPR-VITERBI/HS
軟件 Altera TO-220-3 IP VITERBI HIGH-SPEED RENEW
HCM25DRKH
Card Edge, Edgeboard Connectors Sullins Connector Solutions CONN EDGECARD 50POS DIP .156 SLD
DTS26F21-16JN
連接器，互連器件 TE Connectivity CONN PLUG 16POS STRGHT W/SKT
IMP1-3P0-2E0-1P0-4LD0-00-A
AC DC 轉換器 Emerson Network Power/Embedded Power IMP CONFIGURABLE POWER SUPPLY
IRF7601TRPBF
FET - 單 International Rectifier 8-TSSOP，8-MSOP（0.118"，3.00mm 寬） MOSFET N-CH 20V 5.7A MICRO8
E32-T21R
配件 Omron Electronics Inc-IA Div SENS HI FLEX M3 2.2MM THRUBEAM
IPR-VITERBI/SS
軟件 Altera TO-220-3 IP VITERBI LOW-SPEED RENEW
HCM25DRKH-S13
Card Edge, Edgeboard Connectors Sullins Connector Solutions CONN EDGECARD 50POS .156 EXTEND
DTS26F21-16PC-LC
圓形 - 外殼 TE Connectivity CONN HSG PLUG STRGHT 16POS PIN
IMP1-3Q0-1E0-1I0-1I0-1Q0-03-A
AC DC 轉換器 Emerson Network Power/Embedded Power IMP CONFIGURABLE POWER SUPPLY
IRF7603TR
FET - 單 International Rectifier 8-TSSOP，8-MSOP（0.118"，3.00mm 寬） MOSFET N-CH 30V 5.6A MICRO8

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