IRF6612TR1詳細規格
- 類別：FET - 單
- 描述：MOSFET N-CH 30V 24A DIRECTFET
- 系列：HEXFET®
- 制造商：International Rectifier
- FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
- FET特點：邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444：30V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C：24A
- 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：3.3 毫歐 @ 24A，10V
- Id時的Vgs333th444（最大）：2.25V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs：45nC @ 4.5V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds：3970pF @ 15V
- 功率_最大：2.8W
- 安裝類型：表面貼裝
- 封裝/外殼：DirectFET? 等容 MX
- 供應商設備封裝：DIRECTFET? MX
- 包裝：帶卷 (TR)
IRF6612TR1PBF詳細規格
- 類別：FET - 單
- 描述：MOSFET N-CH 30V 24A DIRECTFET
- 系列：HEXFET®
- 制造商：International Rectifier
- FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
- FET特點：邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444：30V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C：24A
- 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：3.3 毫歐 @ 24A，10V
- Id時的Vgs333th444（最大）：2.25V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs：45nC @ 4.5V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds：3970pF @ 15V
- 功率_最大：2.8W
- 安裝類型：表面貼裝
- 封裝/外殼：DirectFET? 等容 MX
- 供應商設備封裝：DIRECTFET? MX
- 包裝：帶卷 (TR)
IRF6612TR1PBF詳細規格
- 類別：FET - 單
- 描述：MOSFET N-CH 30V 24A DIRECTFET
- 系列：HEXFET®
- 制造商：International Rectifier
- FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
- FET特點：邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444：30V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C：24A
- 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：3.3 毫歐 @ 24A，10V
- Id時的Vgs333th444（最大）：2.25V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs：45nC @ 4.5V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds：3970pF @ 15V
- 功率_最大：2.8W
- 安裝類型：表面貼裝
- 封裝/外殼：DirectFET? 等容 MX
- 供應商設備封裝：DIRECTFET? MX
- 包裝：剪切帶 (CT)
IRF6612TR1PBF詳細規格
- 類別：FET - 單
- 描述：MOSFET N-CH 30V 24A DIRECTFET
- 系列：HEXFET®
- 制造商：International Rectifier
- FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
- FET特點：邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444：30V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C：24A
- 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：3.3 毫歐 @ 24A，10V
- Id時的Vgs333th444（最大）：2.25V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs：45nC @ 4.5V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds：3970pF @ 15V
- 功率_最大：2.8W
- 安裝類型：表面貼裝
- 封裝/外殼：DirectFET? 等容 MX
- 供應商設備封裝：DIRECTFET? MX
- 包裝：Digi-Reel®
IRF6612TRPBF詳細規格
- 類別：FET - 單
- 描述：MOSFET N-CH 30V 24A DIRECTFET
- 系列：HEXFET®
- 制造商：International Rectifier
- FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
- FET特點：邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444：30V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C：24A
- 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：3.3 毫歐 @ 24A，10V
- Id時的Vgs333th444（最大）：2.25V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs：45nC @ 4.5V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds：3970pF @ 15V
- 功率_最大：2.8W
- 安裝類型：表面貼裝
- 封裝/外殼：DirectFET? 等容 MX
- 供應商設備封裝：DIRECTFET? MX
- 包裝：剪切帶 (CT)
IRF6612TRPBF詳細規格
- 類別：FET - 單
- 描述：MOSFET N-CH 30V 24A DIRECTFET
- 系列：HEXFET®
- 制造商：International Rectifier
- FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
- FET特點：邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444：30V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C：24A
- 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：3.3 毫歐 @ 24A，10V
- Id時的Vgs333th444（最大）：2.25V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs：45nC @ 4.5V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds：3970pF @ 15V
- 功率_最大：2.8W
- 安裝類型：表面貼裝
- 封裝/外殼：DirectFET? 等容 MX
- 供應商設備封裝：DIRECTFET? MX
- 包裝：Digi-Reel®
- 陶瓷 Murata Electronics North America 0402（1005 公制） CAP CER 1.2PF 50V T2H 0402
- FET - 單 Vishay Siliconix TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63 MOSFET P-CH 100V 5.6A DPAK
- FET - 單 International Rectifier DirectFET? 等容 MX MOSFET N-CH 30V 24A DIRECTFET
- 配件 Avago Technologies US Inc. CABLE POF BK SIMPLEX UNCONN 500M
- PMIC - MOSFET，電橋驅動器 - 外部開關 International Rectifier 28-SOIC（0.295"，7.50mm 寬） IC DRIVER 3PHASE 28-SOIC
- 存儲器 Cypress Semiconductor Corp 100-LQFP IC SRAM 36MBIT 133MHZ 100LQFP
- 振蕩器 Fox Electronics 6-SMD，無引線（DFN，LCC） OSC 24 MHZ 3.3V PECL SMD
- FET - 單 Vishay Siliconix TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63 MOSFET P-CH 200V 1.9A DPAK
- 陶瓷 Murata Electronics North America 0402（1005 公制） CAP CER 1.6PF 50V T2H 0402
- PMIC - MOSFET，電橋驅動器 - 外部開關 International Rectifier 44-PLCC（32 引線） IC DRIVER BRIDGE 3PHASE 44-PLCC
- 配件 Avago Technologies US Inc. CABLE POF BK SIMPLEX UNCONN 500M
- 振蕩器 Fox Electronics 6-SMD，無引線（DFN，LCC） OSC 240 MHZ 3.3V PECL SMD
- 存儲器 Cypress Semiconductor Corp 64-LQFP IC SRAM 64KBIT 55NS 64LQFP
- FET - 單 Vishay Siliconix TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63 MOSFET P-CH 200V 1.9A DPAK
- 陶瓷 Murata Electronics North America 0402（1005 公制） CAP CER 1.9PF 50V T2H 0402
0755-88291559 
