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IRF6614詳細規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 40V DIRECTFET-ST; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：40V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：12.7A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：8.3 毫歐 @ 12.7A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：2.25V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：29nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：2560pF @ 20V; 功率_最大：2.1W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：DirectFET? 等容 ST; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：DIRECTFET? ST; 包裝：帶卷 (TR)

IRF6614TR1詳細規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 40V DIRECTFET-ST; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：40V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：12.7A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：8.3 毫歐 @ 12.7A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：2.25V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：29nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：2560pF @ 20V; 功率_最大：2.1W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：DirectFET? 等容 ST; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：DIRECTFET? ST; 包裝：帶卷 (TR)

IRF6614TR1PBF詳細規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 40V 12.7A DIRECTFET; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：40V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：12.7A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：8.3 毫歐 @ 12.7A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：2.25V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：29nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：2560pF @ 20V; 功率_最大：2.1W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：DirectFET? 等容 ST; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：DIRECTFET? ST; 包裝：剪切帶 (CT)

IRF6614TR1PBF詳細規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 40V 12.7A DIRECTFET; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：40V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：12.7A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：8.3 毫歐 @ 12.7A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：2.25V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：29nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：2560pF @ 20V; 功率_最大：2.1W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：DirectFET? 等容 ST; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：DIRECTFET? ST; 包裝：帶卷 (TR)

IRF6614TR1PBF詳細規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 40V 12.7A DIRECTFET; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：40V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：12.7A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：8.3 毫歐 @ 12.7A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：2.25V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：29nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：2560pF @ 20V; 功率_最大：2.1W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：DirectFET? 等容 ST; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：DIRECTFET? ST; 包裝：Digi-Reel®

IRF6614TRPBF詳細規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 40V 12.7A DIRECTFET; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：40V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：12.7A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：8.3 毫歐 @ 12.7A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：2.25V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：29nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：2560pF @ 20V; 功率_最大：2.1W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：DirectFET? 等容 ST; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：DIRECTFET? ST; 包裝：Digi-Reel®

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