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IRF6621詳細規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 30V 12A DIRECTFET; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：12A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：9.1 毫歐 @ 12A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：2.25V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：17.5nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1460pF @ 15V; 功率_最大：2.2W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：DirectFET? 等容 SQ; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：DIRECTFET? SQ; 包裝：帶卷 (TR)

IRF6621TR1詳細規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 30V 12A DIRECTFET; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：12A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：9.1 毫歐 @ 12A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：2.25V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：17.5nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1460pF @ 15V; 功率_最大：2.2W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：DirectFET? 等容 SQ; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：DIRECTFET? SQ; 包裝：剪切帶 (CT)

IRF6621TR1詳細規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 30V 12A DIRECTFET; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：12A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：9.1 毫歐 @ 12A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：2.25V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：17.5nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1460pF @ 15V; 功率_最大：2.2W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：DirectFET? 等容 SQ; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：DIRECTFET? SQ; 包裝：帶卷 (TR)

IRF6621TR1PBF詳細規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 30V 12A DIRECTFET; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：12A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：9.1 毫歐 @ 12A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：2.25V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：17.5nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1460pF @ 15V; 功率_最大：2.2W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：DirectFET? 等容 SQ; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：DIRECTFET? SQ; 包裝：帶卷 (TR)

IRF6621TR1PBF詳細規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 30V 12A DIRECTFET; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：12A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：9.1 毫歐 @ 12A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：2.25V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：17.5nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1460pF @ 15V; 功率_最大：2.2W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：DirectFET? 等容 SQ; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：DIRECTFET? SQ; 包裝：剪切帶 (CT)

IRF6621TR1PBF詳細規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 30V 12A DIRECTFET; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：12A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：9.1 毫歐 @ 12A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：2.25V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：17.5nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1460pF @ 15V; 功率_最大：2.2W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：DirectFET? 等容 SQ; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：DIRECTFET? SQ; 包裝：Digi-Reel®

DTS26W13-98HB
連接器，互連器件 TE Connectivity CONN PLUG 10POS STRGHT W/PINS
GTC02R-24-22S
連接器，互連器件 Amphenol Industrial Operations CONN RCPT 4POS BOX MNT W/SCKT
IRF6619TRPBF
FET - 單 International Rectifier DirectFET? 等容 MX MOSFET N-CH 20V 30A DIRECTFET
DTS24F23-53PN
連接器，互連器件 TE Connectivity CONN RCPT 53POS JAM NUT W/PINS
DS21372T+
接口 - 電信 Maxim Integrated 32-TQFP IC TESTER BIT ERROR 3.3V 32-TQFP
INA129U/2K5
Linear - Amplifiers - Instrumentation, OP Amps, Buffer Amps Texas Instruments 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） IC OPAMP INSTR 1.3MHZ SGL 8SOIC
IMP4-2Q-2Q-20-A
AC DC 轉(zhuǎn)換器 Emerson Network Power/Embedded Power IMP CONFIGURABLE POWER SUPPLY
GTC02R-24-53PW
連接器，互連器件 Amphenol Industrial Operations CONN RCPT 5POS BOX MNT W/PINS
DTS20W23-53SD
連接器，互連器件 TE Connectivity CONN RCPT 53POS FLANGE W/SKT
DTS24F23-53PN-LC
圓形 - 外殼 TE Connectivity CONN HSG RCPT JAM NUT 53POS PIN
DS21372TN
接口 - 電信 Maxim Integrated 32-TQFP IC TESTER BIT ERROR 3.3V 32-TQFP
IMP4-2Q-2U-00-A
AC DC 轉(zhuǎn)換器 Emerson Network Power/Embedded Power IMP CONFIGURABLE POWER SUPPLY
INA129U/2K5
Linear - Amplifiers - Instrumentation, OP Amps, Buffer Amps Texas Instruments 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） IC OPAMP INSTR 1.3MHZ SGL 8SOIC
DTS20W23-55AD
圓形 - 外殼 TE Connectivity CONN HSG RCPT FLANGE 55POS PIN
GTC02R-24-AJP
連接器，互連器件 Amphenol Industrial Operations CONN RCPT 25POS BOX MNT W/PINS