IRF6678詳細規格
- 類別：FET - 單
- 描述：MOSFET N-CH 30V 30A DIRECTFET
- 系列：HEXFET®
- 制造商：International Rectifier
- FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
- FET特點：邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444：30V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C：30A
- 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：2.2 毫歐 @ 30A，10V
- Id時的Vgs333th444（最大）：2.25V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs：65nC @ 4.5V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds：5640pF @ 15V
- 功率_最大：2.8W
- 安裝類型：表面貼裝
- 封裝/外殼：DirectFET? 等容 MX
- 供應商設備封裝：DIRECTFET? MX
- 包裝：剪切帶 (CT)
IRF6678詳細規格
- 類別：FET - 單
- 描述：MOSFET N-CH 30V 30A DIRECTFET
- 系列：HEXFET®
- 制造商：International Rectifier
- FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
- FET特點：邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444：30V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C：30A
- 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：2.2 毫歐 @ 30A，10V
- Id時的Vgs333th444（最大）：2.25V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs：65nC @ 4.5V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds：5640pF @ 15V
- 功率_最大：2.8W
- 安裝類型：表面貼裝
- 封裝/外殼：DirectFET? 等容 MX
- 供應商設備封裝：DIRECTFET? MX
- 包裝：帶卷 (TR)
IRF6678TR1詳細規格
- 類別：FET - 單
- 描述：MOSFET N-CH 30V 30A DIRECTFET
- 系列：HEXFET®
- 制造商：International Rectifier
- FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
- FET特點：邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444：30V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C：30A
- 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：2.2 毫歐 @ 30A，10V
- Id時的Vgs333th444（最大）：2.25V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs：65nC @ 4.5V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds：5640pF @ 15V
- 功率_最大：2.8W
- 安裝類型：表面貼裝
- 封裝/外殼：DirectFET? 等容 MX
- 供應商設備封裝：DIRECTFET? MX
- 包裝：剪切帶 (CT)
IRF6678TR1詳細規格
- 類別：FET - 單
- 描述：MOSFET N-CH 30V 30A DIRECTFET
- 系列：HEXFET®
- 制造商：International Rectifier
- FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
- FET特點：邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444：30V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C：30A
- 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：2.2 毫歐 @ 30A，10V
- Id時的Vgs333th444（最大）：2.25V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs：65nC @ 4.5V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds：5640pF @ 15V
- 功率_最大：2.8W
- 安裝類型：表面貼裝
- 封裝/外殼：DirectFET? 等容 MX
- 供應商設備封裝：DIRECTFET? MX
- 包裝：帶卷 (TR)
IRF6678TR1PBF詳細規格
- 類別：FET - 單
- 描述：MOSFET N-CH 30V 30A DIRECTFET
- 系列：HEXFET®
- 制造商：International Rectifier
- FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
- FET特點：邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444：30V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C：30A
- 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：2.2 毫歐 @ 30A，10V
- Id時的Vgs333th444（最大）：2.25V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs：65nC @ 4.5V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds：5640pF @ 15V
- 功率_最大：2.8W
- 安裝類型：表面貼裝
- 封裝/外殼：DirectFET? 等容 MX
- 供應商設備封裝：DIRECTFET? MX
- 包裝：Digi-Reel®
IRF6678TR1PBF詳細規格
- 類別：FET - 單
- 描述：MOSFET N-CH 30V 30A DIRECTFET
- 系列：HEXFET®
- 制造商：International Rectifier
- FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
- FET特點：邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444：30V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C：30A
- 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：2.2 毫歐 @ 30A，10V
- Id時的Vgs333th444（最大）：2.25V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs：65nC @ 4.5V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds：5640pF @ 15V
- 功率_最大：2.8W
- 安裝類型：表面貼裝
- 封裝/外殼：DirectFET? 等容 MX
- 供應商設備封裝：DIRECTFET? MX
- 包裝：剪切帶 (CT)
- 存儲器 Cypress Semiconductor Corp 165-LBGA IC SRAM 72MBIT 167MHZ 165LFBGA
- PMIC - MOSFET，電橋驅動器 - 外部開關 International Rectifier 14-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） IC DRIVER HALF BRIDGE 14SOIC
- 配件 Avago Technologies US Inc. CABLE POF BLK PLAST SIMPLEX 1M
- 面板至面板 - 面板襯墊，堆疊器 Samtec Inc 8-SOIC（0.173"，4.40mm 寬） CONN BOARD STKR HDR .50" 50POS
- FET - 單 International Rectifier TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB MOSFET N-CH 150V 195A D2PAK
- 陶瓷 Murata Electronics North America 0402（1005 公制） CAP CER 5.1PF 50V T2H 0402
- 振蕩器 Fox Electronics 6-SMD，無引線（DFN，LCC） OSC 104 MHZ 3.3V HCMOS SMD
- 存儲器 Cypress Semiconductor Corp 100-LQFP IC SRAM 72MBIT 133MHZ 100LQFP
- PMIC - MOSFET，電橋驅動器 - 外部開關 International Rectifier 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） IC DRIVER HALFBRIDGE 600V 8-SOIC
- DC DC Converters GE 模塊 CONVERTER DC/DC 3.3V 165W OUT
- FET - 單 International Rectifier TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB MOSFET N-CH 150V 41A D2PAK
- 陶瓷 Murata Electronics North America 0402（1005 公制） CAP CER 5.2PF 50V T2H 0402
- FET - 單 International Rectifier DirectFET? 等容 MT MOSFET N-CH 20V 32A DIRECTFET
- 光纖 Avago Technologies US Inc. FIBER OPTIC CBL LATCH SIMPLEX 1M
- PMIC - MOSFET，電橋驅動器 - 外部開關 International Rectifier 14-DIP（0.300"，7.62mm） IC DRIVER HIGH/LOW SIDE 14-DIP
0755-88291559 
