

IRF7204詳細規格
- 類別:FET - 單
- 描述:MOSFET P-CH 20V 5.3A 8-SOIC
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET P 通道,金屬氧化物
- FET特點:標準
- 漏極至源極電壓333Vdss444:20V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C:5.3A
- 開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:60 毫歐 @ 5.3A,10V
- Id時的Vgs333th444(最大):2.5V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:25nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:860pF @ 10V
- 功率_最大:2.5W
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:8-SOIC(0.154",3.90mm 寬)
- 供應商設備封裝:8-SO
- 包裝:管件
IRF7204PBF詳細規格
- 類別:FET - 單
- 描述:MOSFET P-CH 20V 5.3A 8-SOIC
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET P 通道,金屬氧化物
- FET特點:標準
- 漏極至源極電壓333Vdss444:20V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C:5.3A
- 開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:60 毫歐 @ 5.3A,10V
- Id時的Vgs333th444(最大):2.5V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:25nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:860pF @ 10V
- 功率_最大:2.5W
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:8-SOIC(0.154",3.90mm 寬)
- 供應商設備封裝:8-SO
- 包裝:管件
IRF7204TR詳細規格
- 類別:FET - 單
- 描述:MOSFET P-CH 20V 5.3A 8-SOIC
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET P 通道,金屬氧化物
- FET特點:標準
- 漏極至源極電壓333Vdss444:20V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C:5.3A
- 開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:60 毫歐 @ 5.3A,10V
- Id時的Vgs333th444(最大):2.5V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:25nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:860pF @ 10V
- 功率_最大:2.5W
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:8-SOIC(0.154",3.90mm 寬)
- 供應商設備封裝:8-SO
- 包裝:剪切帶 (CT)
IRF7204TR詳細規格
- 類別:FET - 單
- 描述:MOSFET P-CH 20V 5.3A 8-SOIC
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET P 通道,金屬氧化物
- FET特點:標準
- 漏極至源極電壓333Vdss444:20V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C:5.3A
- 開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:60 毫歐 @ 5.3A,10V
- Id時的Vgs333th444(最大):2.5V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:25nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:860pF @ 10V
- 功率_最大:2.5W
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:8-SOIC(0.154",3.90mm 寬)
- 供應商設備封裝:8-SO
- 包裝:Digi-Reel®
IRF7204TRPBF詳細規格
- 類別:FET - 單
- 描述:MOSFET P-CH 20V 5.3A 8-SOIC
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET P 通道,金屬氧化物
- FET特點:標準
- 漏極至源極電壓333Vdss444:20V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C:5.3A
- 開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:60 毫歐 @ 5.3A,10V
- Id時的Vgs333th444(最大):2.5V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:25nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:860pF @ 10V
- 功率_最大:2.5W
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:8-SOIC(0.154",3.90mm 寬)
- 供應商設備封裝:8-SO
- 包裝:Digi-Reel®
IRF7204TRPBF詳細規格
- 類別:FET - 單
- 描述:MOSFET P-CH 20V 5.3A 8-SOIC
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET P 通道,金屬氧化物
- FET特點:標準
- 漏極至源極電壓333Vdss444:20V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C:5.3A
- 開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:60 毫歐 @ 5.3A,10V
- Id時的Vgs333th444(最大):2.5V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:25nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:860pF @ 10V
- 功率_最大:2.5W
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:8-SOIC(0.154",3.90mm 寬)
- 供應商設備封裝:8-SO
- 包裝:剪切帶 (CT)
- Card Edge, Edgeboard Connectors Sullins Connector Solutions CONN EDGECARD 24POS DIP .100 SLD
- 圓形 - 外殼 TE Connectivity CONN HSG PLUG STRGHT 24POS SKT
- FET - 單 International Rectifier 8-SOIC(0.154",3.90mm 寬) MOSFET P-CH 20V 5.3A 8-SOIC
- FET - 陣列 International Rectifier 8-TSSOP(0.173",4.40mm 寬) MOSFET P-CH DUAL 12V 4.3A 8TSSOP
- PMIC - MOSFET,電橋驅動器 - 外部開關 International Rectifier 14-DIP(0.300",7.62mm) IC DRIVER HALF BRIDGE 14DIP
- 晶體 Citizen Finetech Miyota HC49/US CRYSTAL 4.096 MHZ 18PF SMD
- AC DC 轉換器 Emerson Network Power/Embedded Power IMP CONFIGURABLE POWER SUPPLY
- 矩形 Assmann WSW Components IDC CABLE - HSR40H/AE40M/HSR40H
- Card Edge, Edgeboard Connectors Sullins Connector Solutions CONN EDGECARD 24POS DIP .100 SLD
- FET - 單 International Rectifier DirectFET? 等距 L8 MOSFET N-CH 75V 375A DIRECTFET
- 晶體 Citizen Finetech Miyota HC49/US CRYSTAL 4.096 MHZ 18PF SMD
- PMIC - MOSFET,電橋驅動器 - 外部開關 International Rectifier 14-SOIC(0.154",3.90mm 寬) IC DRIVER HALF BRIDGE 14SOIC
- AC DC 轉換器 Emerson Network Power/Embedded Power IMP CONFIGURABLE POWER SUPPLY
- 矩形 Assmann WSW Components IDC CABLE - HSR10S/AE10M/HSR10S
- Card Edge, Edgeboard Connectors Sullins Connector Solutions CONN EDGECARD 24POS DIP .100 SLD